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RFD16N05LSM

更新时间:2025-06-15 15:27:11

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产品型号
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数量
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封装/批号
说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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RFD16N05LSM外观图

RFD16N05LSM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

RFD16N05LSM 概述

RFD16N05LSM是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在低压高频应用中使用。其最大漏源电压为50V，在25℃时连续漏极电流可达16A。典型应用包括直流电机驱动、负载开关以及电源管理电路。在电机驱动应用中，建议结合PWM控制信号以实现高效调速；作为负载开关时，需注意散热设计以确保稳定工作。电路设计时应注意栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动电压来减小导通电阻，提高效率。

RFD16N05LSM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
47 毫欧 @ 16A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252AA
包装
管件

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