您现在的位置:首页 > IC > S字母型号搜索 > S字母第2494页 >

SI9926BDY-T1-E3

锁货报价
  • 商品编号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 产品参数
  • 价格
  • 说明
  • 操作
IC热门型号推荐优势:品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验
SI9926BDY-T1-E3PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:94.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: DUAL N CH MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:0.6V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI9926BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.14W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI9926BDY-T1-E3TR
广告
配单专家

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购SI9926BDY-T1-E3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的SI9926BDY-T1-E3信息由会员自行提供,SI9926BDY-T1-E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买SI9926BDY-T1-E3产品风险,建议您在购买SI9926BDY-T1-E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。