Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。新型 Vishay SILICONIX Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 SkyFET 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A ...
Vishay重新发布高可靠性双线4通道复用器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司旗下子公司Vishay SILICONIX位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的再次认证，所生产的模拟开关和复用器将按照MIL-PRF-38535标准进行筛选。首先投产的新认定产品是DG409的高可靠性版本，即双线4通道差分模拟复用器：DG409将4个差分输入中的一个连到一个共用的双线输出上，具有44V的最大供电等级、100Ω的低导通电阻、低至20pC的电荷...
Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

Vishay的子公司SILICONIX incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。这些新型P沟道功率MOSFET基于SILICONIX的先进P沟道TrenchFET技术，它们的小型尺寸降低了板级空间要求，从而可在使性能不变的情况下实现更小的整体产品设计。由于P沟道驱动电路比N沟道解决方案更简单，因此，这些新型器件可使设计人员在小型及中型电源...
Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET Siliconix 器件

Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay SILICONIX 器件采用 PowerPAK SC-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 SC-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 SC-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。与市场上仅次之的 MOSFET 相比，这些新...
2004年二季度十大热门电源新品评析

...装形式。太妙了！在此之前我从未听说过这种产品。其高达100V的输入电压对汽车工业设计人员来说非常有用，尤其是那些转换42VDC的应用。有机会的话，我愿意使用！价位合理。可用性排名：4 7、SILICONIX的功率MOSFET整合了两种先进技术编辑评注： SILICONIX推出的Si4368DY和Si7668DP是首批整合了该公司WFET与TrenchFET Gen II技术的两款功率MOSFET产品，具有极低的Qgd值和rDS(on)值。这...

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