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SIR330DP-T1-GE3

更新时间:2025-06-30 18:51:22
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SIR330DP-T1-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIR330DP-T1-GE3外观图

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：35 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0056 Ohms at 10 V
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
  • 封装：Reel
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：27.7 W
  • 零件号别名：SIR330DP-GE3
芯知识
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