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SIR808DP-T1-GE3

更新时间:2025-05-21 14:38:47
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SIR808DP-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    25 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    20 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0074 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SO-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    7 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    36 S
  • 栅极电荷 Qg
    15.2 nC
  • 功率耗散
    29.8 Watts
  • 上升时间
    10 ns
  • 典型关闭延迟时间
    14 ns
  • 零件号别名
    SIR808DP-GE3
芯知识
5.3万
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广东微尔科技有限公司
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