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SIS407DN-T1-GE3

更新时间:2025-05-14 00:54:04
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  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：25A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.5 毫欧 @ 15.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：93.8nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2760pF @ 10V
  • 功率 - 最大：33W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SIS407DN-T1-GE3TR
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