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SIZ900DT-T1-GE3

更新时间:2025-05-18 18:59:46
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SIZ900DT-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    24 A, 28 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    5.9 mOhms, 3.2 mOhms
  • 配置
    Dual Common Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAIR
  • 封装
    Reel
  • 功率耗散
    48 W, 100 W
  • 零件号别名
    SIZ900DT-GE3
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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