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STB100NH02LT4

更新时间:2025-07-10 22:34:54

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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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STB100NH02LT4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB100NH02LT4 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2850pF @ 15V
功率 - 最大
100W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)

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