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STB11NM60中文资料

  • 典型接通延迟时间:

    20 ns

  • 典型栅极电荷@Vgs:

    30 nC V @ 10

  • 典型输入电容值@Vds:

    1000 pF V @ 25

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    9.35mm

  • 封装类型:

    D2PAK

  • 尺寸:

    10.4 x 9.35 x 4.6mm

  • 引脚数目:

    3

  • 最低工作温度:

    -65 °C

  • 最大功率耗散:

    160000 mW

  • 最大栅源电压:

    ±30 V

  • 最大漏源电压:

    600 V

  • 最大漏源电阻值:

    0.45

  • 最大连续漏极电流:

    11 A

  • 最高工作温度:

    +150 °C

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    N

  • 配置:

    单

  • 长度:

    10.4mm

  • 高度:

    4.6mm

  • STB11NM60

    电流参数：ID=11A电压参数：UDS=600V/UGS=±30V功 率：PD=160W其他参数：10V/0.4Ω,trr=390ns极 性:N

STB11NM60替代型号

STB0899 STATS STATEK STAPI STAC9708T STAC9481 STA5620 STA505 STA339BWS STA333ML

STB6000 STB6100 STB7100 STB7109 STB7190 STB9NK60ZD STC03DE220HV STC10F08XE STC10L08XE STC11F02

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