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SGSD200

更新时间:2025-06-01 09:23:59
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SGSD200外观图

SGSD200

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247

  • 封装:TO-247-3
SGSD200 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    25A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    3.5V @ 80mA，20A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    500 @ 10A，3V
  • 功率 - 最大
    130W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247-3
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-7422-5SGSD200-ND
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