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NTD25P03LT4G

更新时间:2025-07-05 15:18:49

供应商
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封装/批号
说明
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深圳市辉华电子半导体有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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云汉时代半导体(深圳）有限公
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NTD25P03LT4G外观图

NTD25P03LT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD25P03LT4G 概述

NTD25P03LT4G是由ON Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。它采用TSOP-6封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。该MOSFET的最大漏极-源极电压为-30V，在室温下的连续漏极电流可达-8.3A。其典型应用场景包括负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的电源管理模块。在实际应用中，NTD25P03LT4G常用于需要高效电源控制的场合。例如，在手机或平板电脑等便携式电子设备中，可以作为主电源开关来控制系统的供电状态。设计时应注意正确选择栅极驱动电压以确保完全开启MOSFET，同时也要考虑散热措施以避免过热损坏。在PCB布局上，尽量缩短源极与漏极之间的走线长度以减少寄生电感的影响。

NTD25P03LT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 25A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1260pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD25P03LT4GOSNTD25P03LT4GOS-NDNTD25P03LT4GOSTR

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