外部dsp芯片的片选hpien；pb3为dsp主机口的一个锁存信号hrw8；pb4、pb5为继电器控制信号，也即用做具有锁存作用的i/o mode输出；pb6、pb7是控制外部模拟开关的信号，也是具有锁存作用的i/o mode输出。④其它的控制信号如wr、rd、ale等按使用手册的说明进行配置。将以上这些引脚配置完毕后，下一步进行内存映射的分布。根据实际需要，程序空间25k以内，不需要利用分页。在片选信号的地址分配如下：①rs0:8000h～87ffh.可读写，作为数据空的一部分。②csiop:1000h～10ffh.这段地址共256字节，用做psd913f2内部资源的片选，其中1000h为内部资源的基地址。这段地址的分配在整个psd操作过程中最为重要，一定要注意不能和其它地址发生冲突；尤其对96系列的mcu，数据和程序共享64k空间，而不像51系列那样，数据空间和程序空间各64k。⑤fs0：100h～3fffh.由于main flash中要求每个片选的范围是16k，所以程序空间的划分只能以16k为一段进行划分。同理，可得到fs1的地址范围是4000h～7fffh.这两段程序空间不能放在一个fs
，以降低封装热阻，提高出光效率。 （三）封装可靠性测试与*估 led器件的失效模式主要包括电失效（如短路或断路）、光失效（如高温导致的灌封胶黄化、光学性能劣化等）和机械失效（如引线断裂，脱焊等），而这些因素都与封装结构和工艺有关。led的使用寿命以平均失效时间（mttf）来定义，对于照明用途，一般指led的输出光通量衰减为初始的70％（对显示用途一般定义为初始值的50％）的使用时间。由于led寿命长，通常采取加速环境试验的方法进行可靠性测试与*估。测试内容主要包括高温储存（100℃，1000h）、低温储存（－55℃，1000h）、高温高湿（85℃/85％，1000h）、高低温循环（85℃～－55℃）、热冲击、耐腐蚀性、抗溶性、机械冲击等。然而，加速环境试验只是问题的一个方面，对led寿命的预测机理和方法的研究仍是有待研究的难题。 三、大功率led发展趋势 与传统照明灯具相比，led灯具不需要使用滤光镜或滤光片来产生有色光，不仅效率高、光色纯，而且可以实现动态或渐变的色彩变化。在改变色温的同时保持具有高的显色指数，满足不同的应用需要。但对其封装也提出了新的要求，具体体现在：
i-p/cu焊点的扫描电镜照片。在snag/ni-p界面发现有ni3sn4生成，其厚度随时效时间而增加。snag焊点由sn基体与镶嵌于其中的ag3sn颗粒组成，在界面附近有少量的片状ni3sn4，这是由于在回流过程中溶于焊料中的ni在其后的冷却过程中析出而形成。与snpbag焊点相比，时效后的snag焊点微组织的粗化要轻微得多， ag3sn颗粒的大小几乎不随时效时间变化。 图2为snpbag和snag焊点的剪切强度与时效时间的关系。可见，snpbag焊点的强度随时效时间的延长而下降，经1000h时效后，其强度下降29%。而snag焊点在时效初期，其强度比snpbag焊点高，但250h时效后，焊点强度剧烈下降。时效结束时，其强度已不足原有强度的30%。断口分析表明，snpbag和snag焊点的断裂方式明显不同。对于snpbag焊点，时效前，焊点在焊料内部塑性断裂；随着时效的继续，ni3sn4层厚度增加，裂纹在ni3sn4层内及其与ni-p界面处产生，并使焊点的剪切强度下降。snag焊点在时效的开始阶段断裂方式与snpbag焊点相同，但超过250h时，ni-p层开始从cu基体上脱落，焊点剪
子线路中起着重要作用，在传统的应用中，电容器主要用作旁路耦合、电源滤波、隔直以及小信号中的振荡、延时等。以上电路对电容器参数的主要要求有：电容量；额定电压；正切损耗；漏电流等，对其它参数没有过多的要求。 随着电子线路，特别是电力电子电路的发展对不同应用场合的电容器提出了不同的特殊要求。 1滤波电容器 交流电（工频或高频）经整流后需用电容器滤波使输出电压平滑，要求电容器容量大，一般多采用铝电解电容器。铝电解电容器应用时主要问题是温度与寿命关系，如廉价型环境温度多为85℃，可在1000h内保证各性能参数，特别是电容量，超过1000h，各项性能指标将得不到保证，尽管在很多情况下还能用。如降低使用温度可以延长寿命，基本遵循50℃法则。因此在很多要求高温和高可靠性场合下，应选用长寿命（如5000h以上，甚至105℃,5000h）电解电容器。一般体积小的电解电容器，其寿命相对较短。 用于dc/dc开关稳压电源输入滤波电容器，因开关变换器是以脉冲形式向电源汲取电能，故滤波电容器中流过较大的高频电流，当电解电容器等效串联电阻（esr）较大时，将产生较大损耗，导致电解电容器发热。而低e
制信号hbil、hds1#、hcntl0/1、hr/w#.由于hpi口的访问时钟是c5410的外部频率clkout的5分频，所以pci9052的本地时钟采用clkout/5. 所有控制信号的接口逻辑和时序转换都是由cpld来完成，具体的连接方式如图2所示。 4 系统的软件设计 数据的采集与预处理需要在c5410数据存储器中开辟三种存储块：一种是data buffer,它与pmc4351中各个时隙的fifo一一对应，用于缓存每个时隙上采集到的消息数据；第二是data pool（大小为1000h字），这是一个消息数据地，消息数据在data buffer中存满一整条消息后，加上一些ts包头后，形成一个新的消息包，存入到data pool中；另外还要再开辟一个大小为1000h字节的存储块hpi ram，这样就将dsp的数据采集部分与上层系统通信部分相互隔离开来，互不干扰。在data pool中存满数据后，形成一个大的数据包，交给hpi ram,通过pci总线交给上层系统，进行进一步处理。整体的数据流图如图3所示。 由于dsp芯片的中断引脚数目有限，而且中断工作方式容易造成各个时隙数据
。a10和a11组合成的四种状态所对应的功能如表1所示。 e的上升沿（前沿）锁存所选择的信号，下降沿（后沿）执行读／写数据或命令。工作时序如图2所示。其中，对于控制／驱动器st7920，使能信号e的宽度必须大于450ns。当晶振频率选为12mhz时，80c196kc单片机读／写信号wr／rd的宽度是550ns，能够满足要求。16mhz晶振不能满足要求。 1．3 显示模块占用地址的分配 这里将lcd显示模块作为单片机的一段外部存储单元，由接口电路知，lcd占用片外地址范围1000h～1fffh。其中，对片外单元1000h～13ffh只能进行写操作，向lcd模块发送指令；对片外单元1400h～17ffh只能进行写操作，向显示缓冲区某个单元写数据；对片外单元1800h～1bffh只能进行读操作，读取lcd的忙碌标志；对片外单元1c00h～1fffh只能进行读操作，读取显示缓冲区中某个单元的内容。这样做的好处是程序精简，从而提高显示速度。 例如：ldb r1，＃08h stb r1，1000h 完成对关显示命令08h的传送，其中地址1000h更换成段1000h～13ffh
0h地址的指令时，由dsp产生的地址信号(off00h)、wr信号以及10strb信号的共同作用而产生。 4 软件设计 软件的主要任务是处理已经被数字化了的视频信号。为了实现快速处理，程序采用汇编语言编写，保证在一个重复周期内将数据处理完毕。程序运行的区域安排在tms320vc5402片内ram的0000h～03ffh的1 kb内存中。数据输入区在0400h～09ffh，占1.5 kb内存。杂波均值估值表(杂波图)位于oa00h～offfh，占1.5 kb内存。输出数据区(处理结果)位于1000h～15ffh，占1.5 kb内存。从1600h开始至3fffh的10.5 kb存储区，被平均分为7个数据区，作为7个重复周期的数据积累区。对于存储雷达视频信号量化数据的每一个存储区，其每一个地址单元的地址代表一个距离单元，其内存储的数据代表该距离单元处视频信号的幅度量化值。程序响应中断后，工作过程为：数据的采集→建立杂波均值估值表(杂波图)→第一门限判决→第二门限判决→数据输出。方位信号的采集以及处理以后数据的输出，此处不作讨论。 4.1数据的采集 由于tms320vc5402运行的
据电脑厂商华硕公司的一位执行官表示，由于凌动处理器的严重短缺，致使华硕公司重新拣起了赛扬m 353处理器。面向发展中国家，在其最新款易pc上网本中使用廉价的赛扬处理器。 据华硕公司的一位匿名高官表示，公司重新使用赛扬m 353处理器，也因为其价格比凌动芯片低。据这位高官表示：凌动处理器严重紧缺，我们将把凌动处理器用于易pc 901、1000和1000h中。易pc 901、1000和1000h属于高端上网本产品，价格略高于904hd和1000hd。这位高官还表示，华硕公司也可以使用诸如威盛公司的nano等其它处理器，但它却没有这样作，因为在传统上该公司使用英特尔公司的产品。 华硕公司使用赛扬处理器的这一决定表明，凌动处理器的严重短缺已经影响到了产品设计决策。由于赛扬处理器的推出时间比较长，其制造成本很低。据英特尔公司一名代表表示，尽管公司当前没有销售供上网本使用的赛扬m处理器，但它可以向厂商供应这款芯片。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
态工作寿命试验条件要素包括：晶体管的电应力为与规定壳温tc 相应的最大额定功率ptotmax；晶体管的结温 tj符合标准的规定值，通常在最高允许结温 tjmax附近；晶体管稳态持续工作时间满足标准的要求。例如，我国军用标准gjb128a-97《半导体分立器件试验方法》方法1039中的试验条件b：对底座或散热器安装的双极型晶体管，结温规定为tj=t jmax ℃[5]。gjb33a-97《半导体分立器件总规范》对质量一致性检验c6 分组稳态工作寿命试验条件规定的稳态持续工作时间为“在最高结温下至少1000h” [4]。 但是，现行的试验方法和设备都是按恒定壳温设计的，在试验过程中无法测量结温。显然，要符合标准规定的试验应力要求，则需要在稳态工作寿命试验过程中实施结温的监测和控制。在标准规定应力下取得的试验数据，才能反映晶体管在额定应力下工作时其实际可靠性特征。因此，在稳态工作条件下实现受试晶体管的结温测量和控制有益于提高试验的可信性。 2 结温测量 对于双极型晶体管，由于热源在pn结处，其最高温度通常指pn结的温度，即结温tj 。器件的最高允许结温tjmax是结温 tj的最高额定值，取
amd全球行销副总裁pat moorhead日前严词批评netbook（上网本），指市面上绝大多数同类型产品，都存在着售价过于昂高、电池续航力不佳等缺憾。 asus eee pc moorhead表示，目前绝大多数款式的netbook，譬如华硕(asus)的eee pc 701，价位在300美元左右，而eee pc 1000h或惠普mini note，要价超过500美元，其余另有一些高阶机种，其售价更超过700美元，同样按这些价格水准，用户其实已可采购1款配备15.4寸屏幕、160gb硬盘，且搭载双核心处理器的笔记型电脑，两相比较，netbook实在不算便宜。 此外，论及netbook的电池续航力，也令人不甚满意；对此moorhead进一步解释，netbook体积小，几乎可与手机相提并论，所以不少用户有理由相信，其电池续航力可长达8小时、甚至9小时，但实际情况却非如此，大抵使用了1小时45分钟左右，便可见netbook电池续航力趋于竭尽。 虽然moorhead出言抨击netbook，不过事实上，amd刻正研发其适用于netbook的处理器，代号为bobcat，因此外界
th different code memory;sizes. to set the size of the device, "comment-out" the two devices sizes that do;not match leaving only the appropriate device size.mem_top equ 2000h ;use for 8kb code memory devices;mem_top equ 1000h ;use for 4kb code memory devices;mem_top equ 800h ;use for 2kb code memory devices;code memory space for lpc2;;block 0, 1kb, 0000h - 03ffh;block 1, 1kb, 0400h - 07ffh;block 2, 1kb, 0800h - 0bffh;block 3, 1kb, 0c00h - 0fffh;block 4, 1kb,
请问cmd文件中程序区与数据区的划分如果只用5402的片上ram，那么在编写cmd文件时程序区与数据区的地址分配是不是不能重叠啊？也就是说比如page0从80h到1000h，那么page1就得从1000h开始吗？能不能二者独立编址啊，怎么设定？谢谢！
用stc单片机的iap功能 有福了？ stc89c51的eeprom地址从1000h－－33ffh stc89c52的eeprom地址从2000h－－33ffh stc89c54的eeprom地址从4000h－－f3ffh stc89c58的eeprom地址从8000h－－f3ffh 如果使用51或54，eeprom几乎增加了一倍的容量
关于at89c51rd2 本人最近仿真at89c51rd2出了一点问题，我的板子上有一个专用芯片，at89c51rd2与专用芯片接口是通过访问专用芯片的ram,我将此ram的地址设为0000h,而且我还需要用at89c51rd2的外扩ram,好像这样会地址重叠，不知该如何处理。 我另外一块板子将专用芯片的ram地址设为1000h，但是仿真的时候必须借仿真器的ram才能正常运行，我用的星研的仿真器。不知道为什么不能用仿真头cpu的ram,希望高手给予指点！！
你已经做好了楼主。 ad部分已经完成，测出相对于转速的数字量，你又知道了轮速的频率约1000h，那么你用一个io口编个小程序不断的置高再置低，直接输出的不就是个频率信号吗？至于io口变化的时间也就是输出的频率，需要和轮速传感器出来的模拟电压信号对应。 所以你的电路板不要该，也不用加电路。 不过说明一点，如果你对输入出信号不需要进行数据处理如函数变换等，真应该用电压频率变换电路。（v/f电路）。
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