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当前位置：维库电子市场网>IC>2n5058 更新时间:2024-09-10 16:49:27

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2n5058中文资料

  • 制造商:

    Central Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    300 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    7 V

  • 最大直流电集电极电流:

    0.15 A

  • 配置:

    Single

  • 最大工作频率:

    30 MHz (Min)

  • 最大工作温度:

    + 200 C

  • 封装 / 箱体:

    TO-39

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    1 mW

  • 2N5058

    0.15A/300V

  • 电子止痛仪 二

    4w的碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用小型带开关 (电源开关sl)线性合成碳膜电位器。 cl选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2、c6均选用高频瓷介电容器;已选用耐压值为160v的铝电解电容器;c4和c5选用涤纶电容器或独石电容器;c7选用耐压值为160v的cbb电容器。 vdl-vd3均选用1n4148型硅开关二极管。 vsl选用1/2w、33v的硅稳压二极管;vs2选用1/2w、47v的硅稳压二极管。 vl选用φ3mm的绿色发光二极管。 vl选用3dgl80n或bclo0、2n5058型硅npn晶体管;v2和v4选用2n5551或3dg84g型npn晶体管;v3和v5选用2n5401或3ca3f型硅pnp晶体管。 icl选用cd4093型四与非门施密特触发器集成电路;lc2选用cd40106b型六非门施密特触发器集成电路。 l选用小型铁氧体电感线圈。 s2选用小型拨动式开关。 gb选用9v叠层电池。

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