当前位置:维库电子市场网>IC>33db 更新时间:2024-04-27 22:36:50

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  • 一种基于插值算法符号同步的硬件设计

    ,因此存在着较为明显的吉布斯现象。此外,其最小阻带衰减为21db,这在实际应用中也是不够的。因此直接截取方式在现实中很少采用。对理想冲激响应进行窗处理的一个较成功的办法是将窗函数的两端平滑地减小至零,以减小旁瓣高度,减轻吉布斯现象[4]。在这一思想下,目前常用的窗函数有han ning、hamming、blackman、kaiser等。本设计采用了kaiser窗,它是一种近似最佳的窗函数。经过matlab仿真测试,将kaiser窗长度定为10ts,形状参数β取为2.5248(对应的阻带最小衰减为33db),可得到较小的插值平均误差。由此得到如下公式:这里h(t)为插值滤波器的冲激响应,它是理想内插函数的kaiser窗载短形式,长度为10ts。即:这里i0(·)表示第一类零阶修正bessel函数。由此可得到其频率响应h(ω),它是所需理想频率响应与窗函数傅里叶变换卷积所得。h(ω)对数幅度特性如图3所示(取ts=1)。可见,kaiser窗函数插值滤波器具有较好的频域特性。在通带,它能将衰减稳定在0db;在阻带,最小衰减为33db,且迅速增大。这些均优于目前所用的另一种拉格朗日插值滤波器

  • 宽带跳频接收单元电路的实现

    用mini_circuits公司的mav-11sm,其在70mhz处的增益为gain=12.7db、p-1out=17.5dbm、偏置电压为5.5v、偏置电流为60ma。由于系统采用12v电压供电,因此偏置电阻采用110ω的标称值,高频扼流圈rfc采用线绕线圈。具体电路见图9。其后的滤波器仍采用前面的70mhz低通滤波器。 两路70mhz的选通及放大滤波 选通开关仍然采用hittite公司的hmc348lp3。放大器采用mini_circuits公司的mar-8sm,它在70mhz的增益为33db、p-1out=12.5dbm、偏置电压为7.8v、偏置电流为36ma。由于系统采用12v电压供电,因此偏置电阻采用120ω的标称值,高频扼流圈rfc采用线绕线圈。 图1:宽带跳频接收单元电路主要由一系列的微波功能模块构成 图2:混频器tfm_12mh性能指标 图3:mc348lp3的电路应用 图4:70mhz低通滤波器电路图 图5:570mhz低通滤波器电路图 图6:0mhz低通滤波器 图7 :5

  • TD-SCDMA手机射频前端设计的关键技术

    3gpp相关标准。本文以maxim参考设计为例,仅就一些具有挑战性的指标加以讨论。 aclr指标 aclr指标是为防止发信机对邻近频点信道造成干扰而设定的指标,它也是衡量发射机非线性失真程度的一个重要指标。td-scdma信号属于非恒包络调制,它的成型滤波器是根升余弦滤波器,滚降系数为0.22,因此当通道存在非线性幅度压缩时,在td-scdma信号频谱两侧会产生新的频谱成份,aclr指标是指落入邻近信道的信号与主信道信号功率之比。td-scdma标准规定相邻信道aclr指标应不大于-33dbc,隔一信道该指标应不大于-43dbc,但当泄漏到邻近信道的信号功率小于-55dbm时,可不考虑aclr指标。maxim参考设计在最大发射功率时,邻信道与隔一信道aclr指标都有较大余量。 max2507还有一个特点就是它在小信号发射时,aclr指标并不是变得非常好,看来是一个缺点,实际上这恰恰是maxim工程师在设计max2507时的独具匠心之处。max2507保证aclr指标在所有发射功率电平下均能满足标准要求,且有一定余量的同时,根据发射功率大小自适应地调整功放偏置电流,这使得该芯片

  • 噪声与低噪声设计的探讨(下篇)

    一个带内置箝位二极管的 lna(低噪声放大器)、一个压控衰减器、一个可编程增益放大器以及一个双端14mhz 输出滤波器。除了这一独特的时间增益控制通道外,8 个 lna 还为一个 8×10 单端交叉点开关馈送信号,该开关可以通过一个串行接口编程,并可提供连续波形输出。8 个 lna 均具有 70mhz 增益带宽,并在以时间增益控制模式工作时,在 5 mhz 频率下具有 1.2 nv/ 电压噪声,而以连续波模式工作时的电压噪声为 1.6 nv/ 。你可以对压控衰减器进行编程以设定0~29db、0~33db、0~36.5db和0~40db四种增益范围,并可对可编程放大器进行编程,以设定 21db和26db两种增益。 vca8613 的每个放大器的平均功耗为 75 毫瓦,工作电压为 3v,售价为 25.40 美元(1000件批量)。德州仪器公司的这种8通道模拟前端采用tqfp-64封装。 凌特(linear technology)公司推出的电压噪声为0.95 nv/ 的满摆幅输入和输出运算放大器,有lt6200-10和lt6200-5两种型号,可用于医疗诊断、通信以及光电系统,lt6200

  • LM4981集成电路

    lm4981是由美国半导体公司推出的一款以接地为参考电压的立体声头戴式耳机放大器,电源电压为2~4.2v,增益范围为-33db至+12db,采用16脚llp封装,适用于便携式音乐播放机、移动电话、cd播放机、个人数字助理、媒体播放机、笔记本电脑及其他便携式电子产品。 内部框图如下: 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99

  • Hittite发布3~7GHz无源GaAs MESFET I/Q混频器

    hittite microwave公司日前发布两款用于频率范围为3~7ghz的点对点无线电、wimax基础设施、测试装置和军事应用的无源gaas mesfet i/q混频器。 hmc620lc4是一个可在3~7ghz频率范围内提供32db镜像抑制、43db lo至rf隔离度以及+22dbm稳定输入ip3性能的无源i/q混频器/irm。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡,同时将变频损耗限制在标称值8db。hmc620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器,可提供33db的镜像抑制、45db的lo至rf隔离度以及+23dbm的输入ip3性能。这两款混频器都具有dc~3.5ghz的出色中频带宽,可以用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安装封装,指定的工作温度范围为-40℃~+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm组装方式,指定的工作温度范围为-55℃~+85℃。

  • 两款无源GaAs MESFET I/Q混频器(Hittite)

    ttite microwave公司日前发布两款用于频率范围为3~7ghz的点对点无线电、wimax基础设施、测试装置和军事应用的无源gaas mesfet i/q混频器。 hmc620lc4是一个可在3~7ghz频率范围内提供32db镜像抑制、43db lo至rf隔离度以及+22dbm稳定输入ip3性能的无源i/q混频器/irm。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡,同时将变频损耗限制在标称值8db。hmc620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器,可提供33db的镜像抑制、45db的lo至rf隔离度以及+23dbm的输入ip3性能。这两款混频器都具有dc~3.5ghz的出色中频带宽,可以用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安装封装,指定的工作温度范围为-40℃~+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm组装方式,指定的工作温度范围为-55℃~+85℃。

  • Hittite Microwave发布两款无源GaAs MESFET I/Q混频器

    ittite microwave公司日前发布两款用于频率范围为3~7ghz的点对点无线电、wimax基础设施、测试装置和军事应用的无源gaas mesfet i/q混频器。 hmc620lc4是一个可在3~7ghz频率范围内提供32db镜像抑制、43db lo至rf隔离度以及+22dbm稳定输入ip3性能的无源i/q混频器/irm。这个经过精心设计的双平衡混频器集成电路可确保出色的振幅和相位平衡,同时将变频损耗限制在标称值8db。hmc620是一个工作频率范围相同的紧凑型芯片混频器,可提供33db的镜像抑制、45db的lo至rf隔离度以及+23dbm的输入ip3性能。这两款混频器都具有dc~3.5ghz的出色中频带宽,可以用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安装封装,指定的工作温度范围为-40℃~+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm组装方式,指定的工作温度范围为-55℃~+85℃。

  • 锐迪科微电子推出高线性WiMAX宽带功率放大器RDAW263

    较之wi-fi具有更好的可扩展性和安全性,能够实现更加强大的电信级多媒体通信服务。 rdaw263采用先进的4.5mm×4.5mm lga模块封装,匹配电路集成在模块内部,外围应用只需极少的滤波电容。rdaw263芯片内置功率检测电路,能够实现对输出功率的实时监控。芯片内部还集成有一个30db衰减器,可以切换到低增益模式,增加动态范围。此芯片还具有输出谐波抑制的功能,在整个输出功率动态范围内,对所有谐波的抑制都能达到-55dbc以下。rdaw263支持3.3-5v的电源电压。其工作增益大于33db,2.5-2.7 ghz通过ieee 802.16e-2005上行10mhz带宽信号sem (spectrum emission mask)限制标准的最大输出功率为25dbm,此时的误差矢量幅度(evm)仅为2%,而功率附加效率(pae)为22%(供电电压为 3.3v),性能明显优于同类产品。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)

  • 锐迪科WiMAX宽带功率放大器RDAW263投入量产

    i-fi具有更好的可扩展性和安全性,能够实现更加强大的电信级多媒体通信服务。 rdaw263采用先进的4.5mm×4.5mm lga模块封装,匹配电路集成在模块内部,外围应用只需极少的滤波电容。rdaw263芯片内置功率检测电路,能够实现对输出功率的实时监控。芯片内部还集成有一个 30db 衰减器,可以切换到低增益模式,增加动态范围。此芯片还具有输出谐波抑制的功能,在整个输出功率动态范围内,对所有谐波的抑制都能达到-55dbc 以下。rdaw263支持3.3-5v的电源电压。其工作增益大于33db,2.5-2.7 ghz通过ieee 802.16e-2005上行10mhz带宽信号sem(spectrum emission mask)限制标准的最大输出功率为25dbm,此时的误差矢量幅度 (evm)仅为2%,功率附加效率(pae)为22%(供电电压为3.3v)。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)

  • 运放TL071和晶体管构成的高转换速率的放大器电路图

    如图所示,是运放tl071和晶体管构成的高转换速率的放大器电路。晶体管放大器输人端的电容c1用于阻断直流信号,为的是减少1/f噪声的影响,其增益仅由晶体管vt2确定。高频增益由vt2发射极电阻与集电极电阻之比确定,约为33db。 晶体管要采用高频晶体管,此电路中晶体管采用办ft>1ghz的2sc1988(vt1~vt3)。但加反馈时会产生振荡,因此,要设定极点,极点频率选在10mhz附近,用50pf电容进行补偿。 vt1~vt3组成的放大器主要放大100khz以上的高频信号,a1(tl07l)构成的放大器主要放大100khz以下的低频信号,由电阻r2和r3合成输出信号。在dc~10mhz频率范围,放大器电路的开环增益达到30db以上,转换速率为200v/μs。因此,即使10mhz的输入信号,也能输出2urms的正弦波信号。 来源:lover

  • 求助:3G通信功率放大器的设计的课题

    求助:3g通信功率放大器的设计的课题小弟现在要做3g通信功率放大器的设计的课题,工作频段在2010m-2025m,增益为33db。到现在还不知道怎么上手,我想用pa模块来搭电路,我们老师要我们用匹配模块来做,应ads仿真,请高手指点!`

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