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ST推出首款汽车用高可靠性串行闪存M25P10-A

意法半导体（st）推出一个新一代串行闪存芯片：m25p10-a，m25p20，m25p40。新产品密度范围1到4 mbit，专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。 新的m25p10-a、m25p20和m25p40存储器芯片的密度分别为1mbit、2mbit和4mbit，这三款产品被公认为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存ic。这些产品采用st的经量产验证的先进制造技术，为汽车应用提供了一个高可靠性的解决方案。这些产品获得了汽车级产品质量证书，并通过了aec-q100标准认证。 此外，新产品还经过了st独有的高可靠性认证流程(hrcf)的测试，保证芯片能够工作在-40℃到+125℃的汽车温度范围，达到汽车的质量和可靠性要求。这种测试流程结合统计工具如sbl (统计箱极限)和pat(组件平均测试)，能够筛选出晶圆和裸片上的早期故障和离群点，达到汽车的零ppm故障率的全可靠性目标。 因为能够在汽车工作温度范围内以最高25mhz的频率维持高速数据存取操作，新产品特别适用于高性能发动机管理、变速箱控制模块和安全应用设备以及车载系统，像仪表板、多媒体显示器和音响系统。选择一

ST针对汽车应用推出高可靠性串行闪存IC

意法半导体(st)推出新一代串行闪存ic m25p10-a、m25p20和m25p40，产品密度范围1到4mbit，专门为高可靠性要求的汽车应用设计。 这三款产品据称为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存ic。这些产品采用st经量产验证的制造技术，获得了汽车级产品质量证书，并已通过了aec-q100标准认证，能够为汽车应用提供高可靠性的解决方案。 此外，新产品还经过了st独有的高可靠性认证流程(hrcf)的测试，保证芯片能够在-40℃到+125℃的汽车温度范围工作，达到汽车的质量和可靠性要求。这种测试流程结合统计工具如sbl(统计箱极限)和pat(组件平均测试)，能够筛选出晶圆和裸片上的早期故障和离群点，达到汽车的零ppm故障率的全可靠性目标。 因为能够在汽车工作温度范围内以最高25mhz的频率维持高速数据存取操作，新产品特别适用于高性能发动机管理、变速箱控制模块和安全应用设备以及车载系统(如仪表板、多媒体显示器和音响系统等)。选择串行闪存产品可以节省应用的空间和成本，因为它们采用极小的封装和4线总线；由于只占用微控制器或asic上的几个i/o引脚，新产品进一步降低了成本。 m2

ST推出新一代串行闪存芯片 符合汽车环境要求

意法半导体日前推出一个新一代串行闪存芯片。新产品密度范围1到4mbit，专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。新的m25p10-a、m25p20和m25p40存储器芯片的密度分别为1mbit、2mbit和4mbit，这三款产品被公认为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存ic。这些产品采用st的经量产验证的先进制造技术，为汽车应用提供了一个高可靠性的解决方案。这些产品获得了汽车级产品质量证书，并通过了aec-q100标准认证。 此外，新产品还经过了st独有的高可靠性认证流程(hrcf)的测试，保证芯片能够工作在-40℃到+125℃的汽车温度范围，达到汽车的质量和可靠性要求。这种测试流程结合统计工具如sbl (统计箱极限)和pat(组件平均测试)，能够筛选出晶圆和裸片上的早期故障和离群点，达到汽车的零ppm故障率的全可靠性目标。 因为能够在汽车工作温度范围内以最高25mhz的频率维持高速数据存取操作，新产品特别适用于高性能发动机管理、变速箱控制模块和安全应用设备以及车载系统，像仪表板、多媒体显示器和音响系统。选择一个串行闪存产品可以节省应用的空间和成本

在计算机及外设应用中使用串行闪存存储代码

全面兼容，并适合低成本且节省空间的so-8兼容封装的占板面积，此外，所有产品都使用标准spi协议指令集，因此，在软件上，它们也全面兼容。 因此，st的m25pxx spi闪存可以很容易地用同一家族中的密度更大或更小的产品更换，从而使应用设计具有可重复使用性和扩展性，并节省在新设计上的投资。 高水平的软硬件保护功能为数据一致性提供保证 数据一致性是计算机及外设应用的一项重要要求。st的m25pxx串行闪存具有高水平的软硬件代码的双重保护功能。 1兆位－m25p10-a，1024可编程页（每页256字节），4个可擦除扇区（每区256页） ●硬件保护： 上电时的代码保护：当电源（vcc）低于一个预置极限电压时，所有指令被取消；当vcc超过预置极限电压时，编程擦除和写操作在2ms（典型值）内仍被取消。这个协议旨在防止存储器内保存的代码在上电时被破坏。 当时钟脉冲不是8的倍数时，禁止任何编程、擦除或写操作。 一个与状态寄存器写禁止位（srwd）相关的外部线路保护信号（w）保护状态寄存器的bp0、bp1和bp2。

ST推出首款汽车用高可靠性串行闪存M25P10-A

意法半导体（ST）推出一个新一代串行闪存芯片：M25P10-A，M25P20，M25P40。新产品密度范围1到4 Mbit，专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。

　　新的M25P10-A、M25P20和M25P40存储器芯片的密度分别为1Mbit、2Mbit和4Mbit，这三款产品被公...

M25P10-A

1M位Flash存储器；页程序(高达256个字节)在1.4ms(典型值)时；扇区擦除(256K位)在0.65s(典型值)；批量擦除(1M位)在1.7s(典型值)；2.3～3.6V单电源电压；SPI总线兼容的串行接口；50MHz的时钟速率(最大值)；深掉电模式1μA(典型值)；20年以上的数据保留时间

求助：flash的时钟上升下降时间有没有要求？

求助：flash的时钟上升下降时间有没有要求？我最近的项目里用到m25p10-a，因为是5v的系统，而m25p10-a是3.3v工作电压，所以单片机的端口采用的是open-drain输出，外接3.3v/30k上啦电阻，在我调试时总是不能正确读取flash,端口始终是ff，在规格里看到它对时钟信号的上升时间是min:0.1v/ns，我观察了一下我的clock信号线，上升时间用了5us左右升到3.0v，所以向各位请教，上升过慢会不会导致对flash操作的失败啊？ 先谢谢了！