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SST25VF020-20-4C-SAE 2 Mbit / 4 Mbit SPI Serial Flash SST [Silicon Storage Technology, Inc] SST25VF020-20-4C-SAEPDF下载

SST25VF020-20-4C-SAE价格行情

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历史最低报价：￥2.5000 历史最高报价：￥5.0000 历史平均报价：￥3.4888

型号厂家封装批号数量日期价格
SST25VF020-20-4C-SAE SST SO-8 05+ 2008/6/25 0:00:00 2.5000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE 06+ 2010/1/21 0:00:00 2.6000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST SOP 09 40 2011/9/1 10:11:37 3.0000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST NA 10+ 5000 2011/8/31 17:22:35 3.0000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST SOIC8 08+ 2009/3/28 0:00:00 3.5000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST 08+ 2008/11/18 0:00:00 3.5000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE 06+ 2008/11/18 0:00:00 4.0000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST 06+ 2008/6/25 0:00:00 4.3000/pcs
SST25VF020-20-4C-SAE SST 50 2011/8/31 18:30:02 5.0000/pcs

SST25VF020-20-4C-SAE中文资料

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引脚图及结构图

特色产品:
SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装:
100
类别:
集成电路 (IC)
家庭:
存储器
系列:
SST25
格式 - 存储器:
闪存
存储器类型:
FLASH
存储容量:
2M (256K x 8)
速度:
20MHz
接口:
SPI 串行
电源电压:
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度:
0°C ~ 70°C
封装/外壳:
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:
8-SOIC
包装:
管件

SST25VF020-20-4C-SAE
读、写操作电压2.7～3.6V；串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3；最大时钟频率：20MHz；高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年；超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)；灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块；快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)；自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间；写操作完成监测：软件状态；保持引脚(HOLD ＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列；写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法；软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：0～＋70℃(商用级C)，- 40～＋85℃(工业级I)，- 20～＋85℃(扩展级E)；温度范围：0～＋70℃(商用级C)

买家服务：

卖家服务：

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特色产品:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

格式 - 存储器:

存储器类型:

存储容量:

速度:

接口:

电源电压:

工作温度:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

SST25VF020-20-4C-SAE

SST25VF020-20-4C-SAE替代型号

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