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TMS320C6711的FLASH引导装载系统研究与设计
摘要：引导装载是dsp系统设计中必不可少的重要环节。文章对ti公司tms320c6711中flash引导装载的概念、方法及特点做了详细阐述，同时以sst公司的flash器（sst39vf040）为例，设计了一个利用flash进行引导装载的系统方案，并给出相应的自加载程序源代码。关键词：数字信号处理器 flash存储器引导装载 tms320c67111 概述在一些脱机运行的dsp系统中，用户代码需要在加电后自动装载运行。dsp系统的引导装载（bootload）是指在系统加电时，由dsp将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到高速存储器单元中去执行。这样既可利用外部存储单元来扩展dsp本身有限的rom资源，又能充分发挥dsp内部资源的效能。因此，在装载系统中，外部非易失性存储器和dsp的性能显得尤为重要。flash是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统eprom要低，十分适合用于低功耗、小尺寸和高性能的便携式系统。本文介绍了ti公司tms320c6711浮点dsp芯片和sst公司sst39vf040 flash存储器的基本特点，同时给出了一
TMS320C6711中心定位实时图像处理系统研究
器相连，以进行系统调试和程序下载。 1.5 外部存储器设计 c6711访问外部存储器必须通过emif。emif不仅有很高的数据吞吐率，而且还有很强的接口能力，可以与目前所有类型的存储器直接接口。设计采用三种类型的存储器：flash rom、双口ram和同步动态存储器sdram。flash rom 是现场可擦除、掉电后可保持数据的存储器，用来固化程序和保存掉电后需要保存的数据；双口ram用来存储一帧图像数据；sdram运行速度快，用来存放实时运行程序和临时数据。本系统flash rom采用sst39vf040，且配置在ce1空间。双口ram采用idt70v28，且配置在ce2空间。选用hy57v653220作为sdram，配置在ce0空间，这样的配置与引导方式相配合。 1.6 输出电路系统根据输入的图像，由c6711进行处理后得出一个卫星姿态角信息。该姿态角信息由c6711输出到pc机的rs-232口，由于通信的信息量少，所以可以利用c6711的多通道缓冲串口mcbsp，在不扩展其他硬件的情况下，用软件实现异步数据传输格式。发送时，发送转换子程序把每一个数据位扩展成16位的uart字，并把
让单片机运行速度更快一些
硬件技术背景单片机的频率越来越高，ram的访问速度也来也快，但单片机系统的效率并不一定成比例的提高。目前，使用的主流单片机有80386ex(50mhz，外部地址/数据总线16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/数据总线32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/数据总线8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(访问速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可见，sdram，sram的速度和单片机是匹配的，甚至比单片机的速度更快一点，不需要单片机插入等待状态。而flash的访问频率则比单片机慢2~6倍，单片机往往要通过插入多个等待状态来和它相匹配，况且flash多为8位，而当前单片机多为16，32位，更多的降低了单片机的工作性能。根据上述分析，如果提高flash的访问速度，扩展flash为16位或32位，那么程序执行的速度就快了，单片机的性能也就提高了。如果能够将这一想法变成事实，而且成本低
浅谈嵌入式网络视频服务器的设计
可以控制8个存储体或外围设备，支持gpcm （general purpose chip select machine）和upm（user programmable machines）两种方式，可提供与sram，eprom，flash，dram，sdram等设备的无缝连接。gpcm提供与eprom，sram，flash以及其他的外设的无缝连接，upm则常常用于sdram以及猝发式sram的控制与连接。flash存储器是一种电可擦除、可重写的存储设备。bootrom flash采用512kbyte的sst39vf040。bootrom主要作用是引导及初始化cpu，以及引导单板程序。bsp在嵌入式系统和windows系统中的不同其实运行与pc机上的windows或linux系统也是有bsp的。只是pc机均采用统一的x86体系架构，这样一定操作系统的bsp相对x86架构是单一确定的，不需要做任何修改就可以很容易支持os在x86上正常运行，所以在pc机上谈论bsp这个概念也没什么意义了。而对嵌入式系统来说情况则完全不同，目前市场上多种结构的嵌入式cpu（risc）并存（ppc,arm,mips…），为了性能的需要，
LED图文显示屏控制系统的设计方案
示，sram的最高位地址线a14由单片机的p3.2单独控制，以便于将红色和绿色led点阵的数据分块存放，当p3.2输出为0时，选中ram地址0x0000～0x3fff,为红色led的数据区；当p3.2输出为1时，选中ram地址0x4000～0x7fff,为绿色led的数据区。 flash用于存储代码，显示的数据信息和字库。可采用查表的方式调用需要显示的汉字和英文点阵数据。用64k字节的存储空间存储16×16点阵的汉字，可以显示2048个，512k的flash可满足常用字不同字体的存储需求。sst39vf040的地址线有19位，单片机用p1口来扩充高三位地址线。系统中单片机，sram,flash要求313v供电，而系统接入电源为5v,可通过lm1117-3.3为芯片提供3.3v稳压电源。低压差电源芯片lm1117输出电流可达800ma,输出电压精度在±1%以内，还具有电流限制和热保护功能。 1.2 串行接口电路控制器接收数据采用单片机内部全双工的通用异步收发器（uart）。在传输距离小于20m时采用非平衡的rs-232,在传输距离为几十m到上km时采用rs-485。r

SST39VF040
组织结构为512K×8；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：5mA(典型值)，待机电流：1μA(典型值)；扇垦擦除操作功能：均匀的4KB扇区；快速读取时间：70ns；锁存地址和数据；快速擦除操作和字节编程时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：70ms(典型值)；字节编程时间：14μs(典型值)，芯片重写时间：8s；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准

CPU(时钟为50MHz)读Bios SST39VF040 (512K X 8bit)的时序问题
cpu(时钟为50mhz)读bios sst39vf040 (512k x 8bit)的时序问题cpu(时钟为50mhz)读bios sst39vf040 (512k x 8bit)的时序问题时序图说明1.ams表示最高位地址线,这里为a18.datasheet中要求读bios时,ce和oe脚都变为低电平.如图中时序图所示.我理解如下,请各位指点.非常感谢!1.cpu(时钟为50mhz)送地址0x00010到bios的地址寄存器.2.cpu将ce拉低3.cpu将oe拉底,并延迟70ns.因为datasheet上说tce (chip enable access time)的时间为70nstoe (output enable access time)的时间为35ns问题1: 这里我不确定应该延迟多少ns?就采用最大的延迟70ns.4.数据输出有效,cpu从bios寄存器中读出数据.5.将地址值加1,即送地址0x00011到bios的地址寄存器6.因为taa (address access time)需要70ns,而toh (output hold from address change)时间需要0ns(da
（转贴，共计5篇希望喜欢）51单片机操作系统开发中的问题与技巧
问题的提出1.1 硬件技术背景单片机的频率越来越高，ram的访问速度也来也快，但单片机系统的效率并不一定成比例的提高。目前，使用的主流单片机有80386ex(50mhz，外部地址/数据总线16位)、mpc860t(66mhz，外部地址/数据总线32位)以及ds80c32(25mhz，外部地址/数据总线8位)；使用的sdram有hy57系列、k416系列(访问速度100mhz或133mhz)；使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz)；使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可见，sdram，sram的速度和单片机是匹配的，甚至比单片机的速度更快一点，不需要单片机插入等待状态。而flash的访问频率则比单片机慢2~6倍，单片机往往要通过插入多个等待状态来和它相匹配，况且flash多为8位，而当前单片机多为16，32位，更多的降低了单片机的工作性能。根据上述分析，如果提高flash的访问速度，扩展flash为16位或32位，那么程序执行的速度就快了，单片机的性能也就提高了。如果能够将这一想法变成事实，而且成本低廉的话，
关于 flash的一些问题
关于 flash的一些问题请问1:boot code指的是?它的位置可以自己改吗？ 2：sector address指的是sector的首地址吗？ 3：top boot与bottom boot在使用上有什么不同吗？ 4：sector都是4k的吗？ 5：flash memory和它的控制器是在一起的吗？我用的是sst39vf040型的。谢谢大家！
大家帮我找找这种类型的FLASH或EEPROM好吗？
sst39vf040应该是8位的flash
哪位能帮我一下，W29C040能读不能写
96 bytes for 39vf080 */#define block_size 65536 /* must be 64k bytes for 39vf080 */#define sectorlen 256//128#define sst_id 0xbf /* sst manufacturer's id code */#define sst_29sf040 0x13 /* sst39vf040 device code */#define sst_39vf080 0xd8 /* sst39vf080 device code */xdata uchar u6add _at_ 0x6000 ;idata uchar u6data;xdata word sst_id2;xdata word sst_id1;idata uint iflashtmp1,iflashtmp2;xdata uchar cflashtm

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SST39VF040

CPU(时钟为50MHz)读Bios SST39VF040 (512K X 8bit)的时序问题

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关于 flash的一些问题

大家帮我找找这种类型的FLASH或EEPROM好吗？

哪位能帮我一下，W29C040能读不能写

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