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APT13003E HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWE... BCDSEMI [BCD Semiconductor Manufacturing Limited] APT13003EPDF下载
APT13003EU-E1 HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWE... BCDSEMI [BCD Semiconductor Manufacturing Limited] APT13003EU-E1PDF下载
APT13003EZ-E1 HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWE... BCDSEMI [BCD Semiconductor Manufacturing Limited] APT13003EZ-E1PDF下载
APT13003EZTR-E1 HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWE... BCDSEMI [BCD Semiconductor Manufacturing Limited] APT13003EZTR-E1PDF下载

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电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响
时间、下降时间，提高开关速度，且一致性、重复性好，成品率高，这是高反压功率开关晶体管传统制造工艺无法比拟的。为了降低功率双极晶体管的损耗，本文采用了10 mev 电子辐照来减小其关断延迟时间，提高开关电源转换效率。通过在功率双极晶体管中加入钳位电路使得晶体管不能达到深饱和也能降低关断延时和关断损耗，本文也对电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管进行了比较。本文实验中采用的开关电源为bcd 半导体公司研发的3765序列充电器，采用的功率双极晶体管是bcd半导体公司提供的apt13003e, 它被广泛应用于电子镇流器、电池充电器及电源适配器等功率开关电路中。 1 开关电源中开关晶体管的损耗图1所示为一个典型的反激式开关电源示意图。在示意图中，开关晶体管q1 的集电极连接变压器t1.当控制器驱动为高电平时， q1 导通，能量存储到变压器t1 中。当控制器驱动为低电平时， q1关断，能量通过变压器t1 释放到后端。图2所示为开关晶体管开关过程中集电极电压和电流的波形示意图。开关晶体管在工作过程中的损耗分为开关损耗和稳态损耗，其中开关损耗包括导通

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