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  • 功率MOSFET并联均流问题研究

    虚线所示。 从图1中实线可以看出，q值越大，换向时间越短，开通损耗越低但关断损耗增大；从图1中虚线可以看出在线路中引入源极电感，器件的开关轨迹发生很大变化，开通损耗增加而关断损耗减小。在高频情况下，器件的开关时间和开关损耗对整个系统效率的提高至关重要。从上面的分析可知器件理想的工作条件应该是在相对较高的q值下。以下基于不同q值，通过仿真软件pspice分析外围线路中各种寄生参数对并联均流的影响。图3 2.2 q值对双管并联均流影响的仿真分析双管并联电路如图2所示。选用apt公司生产的apt6013lll做为开关器件,其最高耐压为600v，最大连续漏电流为43a，输入电容ciss=5696pf，td(on)=11ns，tr=14ns，td(off)=27ns，tf=8ns，阈值电压平均值为4v；驱动信号vgs是幅值为15v频率为1mhz，占空比为50％的方波信号；外接直流电源vdd=100v；负载r为2ω的无感电阻；d为续流二极管；lg1=lg2=lg，ld1=ld2=ld，ls1=ls2=ls，分别为栅漏源极引线电感，rg1=rg2=rg是栅极去耦电阻。考虑到实验中多用短而粗的双股绞线来减小线

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APT50M60JVR APT50M60JN APT40GF120JRD APT2X30D60J APT200GN60JDQ4 APT200GN60J APT14050JVFR APT13003E APT13003 APT12060B2VFR

APT62N60JCF APT8024LFLL APT8030LVFR APT82N60JCS APT94N60L2C3G APW7005 APW7008 APW7071 APW7075 APW7080

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