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Fairchild推出单刀三掷(SP3T)模拟开关器件
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出业界唯一的单刀三掷(sp3t) cmos模拟开关器件。这种革新型的fsa3357器件将为手持设备、移动电话、mp3播放器、pda、笔记本电脑以及其它便携电子设备的设计人员带来巨大的便利。采用一个单刀三掷多路 fsa3357器件替代两个(串接)单刀双掷(spdt)器件，可减少器件数目达50%，大大提高印制电路板的空间利用率，保证信号的完整性，并将该类器件的开关工作量减少一半。fsa3357 sp3t模拟开关器件采用us8 封装，在同等功能的条件下，它比两个单刀双掷多路器件的尺寸更小，性能更优。高性能fsa3357 sp3t模拟开关器件的rds(on)阻值仅为6欧姆，信号衰减极小。它的总谐波失真(thd)为0.01%，加上 -60 db的串扰失真，能够确保信号的完整性。该器件同时具有宽频带(250mhz)和极点至极点信号处理性能，保证可高速并无谐波失真地传输数字和模拟信号。 fsa3357器件的电压适应范围宽达1.65v-5.5v，是电池供电应用的理想器件。fsa3357 sp3t器
在超便携应用中模拟开关的关键设计参数
在整个电源电压范围内工作，同时要求开关的关键特性，如ron (平坦度)、串扰、带宽和thd等衰减最少。现在的开关发展趋势是低ron值 (小于1w)，并在不同电压下保持适合的低i/o电容、低衰减和良好平坦度。面对超便携应用，工程师在设计选择模拟开关时必须了解多项关键参数，如ron、串扰、thd、带宽、电荷注入和插入损耗。图1 传输门电路的复合ron图2 带宽测试原理图图3 串扰和关断隔离测试原理图图4 开关应用和thd图5 thd测试原理图图6 电荷注入的测试原理图图7 使用sp3t fsa3357模拟开关的典型usb应用导通电阻和平坦度模拟开关由一个传输门电路 (pmos与nmos并联) 构成，为了得到等效 (匹配) 的ron，pmos大小需近似为nmos的两倍。这也意味着电容失配的存在，从而影响电荷注入特性。传输门电路的复合ron特性曲线如图1所示。直觉上可能会认为ron愈低的器件愈好，但必须考虑特定应用的信号摆幅、适用电源、源/灌电流要求、成本和封装目标等因素。产品数据表中的导通电阻是在给定负载电流和特定vcc和vin条件下的数值。在晶体管级，ron是器件长度 (l)、器件宽度 (w

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