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  • 瑞萨发布 P沟道功率MOSFET

    %,是业界导通电阻最低的工业标准sop-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低,将有助于设计小型、节省空间的系统。 笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、cpu速度更快(随着处理信息量的增加,需要处理大量数据)、电压更低以及电流更大。因此要求dc-dc转换器电源管理开关,能够有效地控制更大的电流。由于开关电阻对损耗特性有不利影响,要求进一步减小这些电源开关中p沟道功率mosfet的导通电阻。同时,随着系统越来越紧凑,需要减小安装面积。 为应对这些需要,目前瑞萨科技大量生产低导通电阻的hat1072h,由于使用sop-8尺寸lfpak封装,具有很低的功率mosfet导通电阻和热阻,现在已经开发出hat1125h,通过使用更好的工艺进一步减小了导通电阻。 hat1125h是p沟道功率mosfet,具有–30 v漏源击穿电压和–4.5 v栅压。通过使用很好的工艺,改进并优化了元胞结构密度,从而可以达到2.7 mω (典型值)的导通电阻,与瑞萨科技目前的hat1072h相比,大约减小了25%。它是业界导通电阻最低的sop-8尺寸小型表面安装封装产品,提高了系统的输出效率。为了达到更低的电阻,

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