当前位置:维库电子市场网>IC>hynix 更新时间:2024-04-26 16:18:10

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  • PHILIPS公司32位FLASH MCU的优势

    微米工艺生产具有1mb flash的芯片。lpc2100系列成员在sram的数量上有较大差别。lpc2104, lpc2105和lpc2106分别具有16k, 32k和64k sram。较大的片内存储器使lpc2105和lpc2106更适合于处理协议栈的网络应用。philips表示将来这一系列的芯片将增加以太网、usb、802.11、can以及a/d转换等逻辑。 集成flash的两种方法philips不是第一家生产基于arm的mcu的公司,它甚至不是第一家集成flash存储器的公司。atmel、hynix和oki都提供基于arm7tdmi-s内核的带有flash的mcu,而且所有这些厂商的器件都比philips mcu的flash容量更大。最强大的竞争对手是atmel,它的at91系列就有4款这样的芯片-有些具有2mb的flash,16倍于现有的philips lpc2100系列器件。atmel mcu倾向于具有更多的sram,其中两款的时钟速度高于philips的芯片。但是atmel、hynix、oki和philips所生产的基于arm7的mcu具有一个重要的区别,那就是:只有philips和

  • SST-RAM将取代DRAM甚至NAND?

    为止,mram被证实很难达到大量生产。 stt-ram 算是第二代的磁性随机存取存储器技术,且号称解决了部分传统mram架构所遭遇的问题。现今大多数mram写入资料的原理,是透过利用一道电流通过邻近穿隧磁阻(tunneling magnetoresistive,tmr)元件之电线所产生的磁场,来改变其磁性;grandis指出,这种机制的运作速度快,但十分耗电,而该公司则开发出一种完全不同的方法。 目前打算投入mram领域的公司还包括avalanche、crocus technology、hynix、ibm-tdk、renesas、samsung与toshiba等等,但到目前为止市场上只有一家公司的mram产品,即从freescale semiconductor独立而出的everspin technologies。 everspin 最近表示,该公司迄今最高容量的16mbit mram产品已经开始送样,适合工业与嵌入式等领域的资料保存相关应用,可望取代电池供电的sram或是相关的离散式解决方案,可能受威胁的厂商包括cypress、issi、maxim、st、ti等。 在grandi

  • 嵌入式处理器相关芯片数据资料

    说明 资料下载 am29lv400 amd am29lv800 amd am29lv160 amd sst39vf1601 sst sst39vf3201 sst sst39vf800 sst sdram芯片 型号 厂家 封装 说明 资料下载 hy57v161610 hynix hy57v641620 hynix hy57v281620 hynix hy57v561620 hynix k4s161622 samsung k4s641632 samsung k4s281632 samsung k4s561632 samsung k4s643232 s

  • 基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

    1 引言fifo(first in first out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求,是传统ram无法达到的。许多系统都需要大容量fifo作为缓存,但是由于成本和容量限制,常采用多个fifo芯片级联扩展,这往往导致系统结构复杂,成本高。本文分别针对hynix公司的两款sram和dram器件,介绍了使用cpld进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度fifo的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他ram器件相连的应用中去[1]。 2基于sram的设计与实现 2.1 sram结构芯片hy64ud16322a静态随机存取存储器sram(static random access memory)是一种非常重要的易失性存储器,它的速度非常快,并且能在快速读取和刷新时保持数据完整性。本系统sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速、超低功耗32 mbit

  • 基于SRAMDRAM的大容量FIFO的设计与实现

    1 引言 fifo(first in first out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求,是传统ram无法达到的。 许多系统都需要大容量fifo作为缓存,但是由于成本和容量限制,常采用多个fifo芯片级联扩展,这往往导致系统结构复杂,成本高。本文分别针对hynix公司的两款sram和dram器件,介绍了使用cpld进行接口连接和编程控制,来构成低成本、大容量、高速度fifo的方法。该方法具有通用性,可以方便地移植到与其他ram器件相连的应用中去[1]。 2基于sram的设计与实现 2.1 sram结构芯片hy64ud16322a 静态随机存取存储器sram(static random access memory)是一种非常重要的易失性存储器,它的速度非常快,并且能在快速读取和刷新时保持数据完整性。本系统sram器件采用hynix公司的hy64ud16322a[2]。hy64ud16322a是高速

  • Hynix推出512M容量GDDR4 DRAM,每秒处理11.6GB数据

      Hynix Semiconductor公司日前宣布推出据称是世界上速度最快、密度最高的图形存储器——512Mb容量的第四代图形DDR(GDDR4) DR...

  • Hynix新款1Gb GDDR5绘图DRAM面向高清图像应用

    海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.,)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM,工作带宽为5Gbps,32位I/O通道,数据处理数率高达20GB/s,非常适合于高清视频、图像处理应用。

    • Hynix在日被判停售NAND,闪存界恐受影响

      东京法庭星期五判决hynix 半导体公司的日本业务部门暂停在日本销售nand闪存产品,此前,东芝公司已就专利侵权起诉了位于韩国的这家对手。 判决令让东芝在快速发展的内存产品市场获得先机。 但hynix 已表示,它计划对判决进行起诉。暂停在日销售nand闪存将影响其在日本市场的地位。判决令出来以后,hynix 的股票下跌了近3.7%。 东京法庭还要求hynix 向东芝支付6.655 万美元的损害赔偿金。东芝是世界上第二大nand闪存芯片制造商,仅次于三星公司。 东芝在2004年向东京地方法院提起诉讼,指控hynix 侵犯了它的nand闪存芯片专利技术。nand闪存近年来呈现爆炸性的增长势头,它被广泛的应用于数码相机,便携式音乐播放器当中。 hynix 是世界上第二大dram内存生产商,目前,这家公司已经逐渐转型于nand内存的生产。三星是dram和nand的生产冠军。 2005年最后三个月,hynix 的市场份额在nand市场急剧膨胀,这直接威胁到了东芝的市场地位。 daewoo证券公司的分析师chung chang-won 说,hynix 的nand闪存业务的潜在影响

    • 东芝打赢Hynix侵权官司 可能握手言和

      (电子市场网讯) 近日消息,东京一家法院宣布,在东芝提起专利诉讼案后,它已经命令hynix日本分部停止在日本销售nand闪存芯片。这一裁决可能会增强东芝的闪存业务。但hynix表示,它计划上诉这一裁决。 东京地方法院的一名代表说,法院已经命令hynix赔偿东芝784万日元。东芝于2004年在地方法院起诉了hynix,指控hynix侵犯了其nand闪存芯片的专利。 hynix一直在将其生产能力由dram转向生产盈利能力更高的nand产品。在2005年的最后3个月中,它在110亿美元的nand闪存市场上的份额增长非常迅速,对东芝第二大nand闪存供应商的地位构成了威胁。 大宇证券的分析师chung chang-won表示,这一裁决对hynix nand闪存芯片业务的影响有限。他说,由于法院的裁决只影响采用0.11微米工艺的512mb的芯片,而hynix这类芯片的产量很低,因此它的影响可以忽略不计。hynix在日本的销售只占其nand芯片的10%。但东芝的一名发言人说,这一裁决影响hynix的许多内存产品。 chung表示,美国法院的裁决可能对它更重要,hynix可能通过与东芝谈

    • 韩国半导体产业已摇摇欲坠?

      更精确的说法是,由于受到ic产业衰退的严重打击,这个由本土芯片制造商支撑的市场已经摇摇欲坠…虽然芯片厂商们现在终于看到复苏迹象,并可望有助于疗伤,但更往前看,韩国四大ic供货商与这个国家的整个半导体产业,正面临全球市占率保卫战。 在最近一场于首尔举行的研讨会上,有位三星(samsung)的高层坦言该公司仍太依赖内存业务,并认为三星有必要寻找可为公司注入成长动能的新市场。而三星虽也已经将触角伸向非内存市场,包括重回电源ic领域,但这家芯片供应大厂仍在不少业务领域辛苦挣扎。 内存业者海力士(hynix)最近被债权人把整间公司拿去标售,但现在唯一的投标者也自身难保。另一家芯片业者magnachip semiconductor刚摆脱破产,模拟晶圆代工厂dongbu hitek则是好不容易取得一笔资金挹注,稍稍减轻负债压力。 还有更惨的吗?有产业界高层表示,韩国持续大力扶植的无晶圆厂ic产业,实际发展情况与预期目标出现落差;要发展无晶圆厂ic产业,需要培育具创新能力的新公司,但该国却还是过于依赖由家族财团或财阀经营的大集团企业,诸如现代(hyundai)、乐金(lg)与三星。 南韩无疑是

    • 韩国半导体产业已摇摇欲坠

      确的说法是,由于受到ic产业衰退的严重打击,这个由本土芯片制造商支撑的市场已经摇摇欲坠…虽然芯片厂商们现在终于看到复苏迹象,并可望有助于疗伤,但更往前看,韩国四大ic供货商与这个国家的整个半导体产业,正面临全球市占率保卫战。 在最近一场于首尔举行的研讨会上,有位三星(samsung)的高层坦言该公司仍太依赖内存业务,并认为三星有必要寻找可为公司注入成长动能的新市场。而三星虽也已经将触角伸向非内存市场,包括重回电源ic领域,但这家芯片供应大厂仍在不少业务领域辛苦挣扎。 内存业者海力士(hynix)最近被债权人把整间公司拿去标售,但现在唯一的投标者也自身难保。另一家芯片业者magnachip semiconductor刚摆脱破产,模拟晶圆代工厂dongbu hitek则是好不容易取得一笔资金挹注,稍稍减轻负债压力。 还有更惨的吗?有产业界高层表示,韩国持续大力扶植的无晶圆厂ic产业,实际发展情况与预期目标出现落差;要发展无晶圆厂ic产业,需要培育具创新能力的新公司,但该国却还是过于依赖由家族财团或财阀经营的大集团企业,诸如现代(hyundai)、乐金(lg)与三星。 南韩无疑

    • 海力士300mm晶圆厂清州投产NAND芯片

      全球第二大电脑记忆体晶片制造商hynix(海力士)表示,其在韩国新建成的nand快闪记忆体制造工厂正式投产,该工厂将采用12英寸晶圆生产芯片,能够以具有竞争力的成本切割更多芯片。 hynix表示,该新厂是其位于忠清道(chungcheong)清州市(cheongju)的第三家晶圆厂,命名为“m11”,于2007年4月开始动工,总面积达294,637 平方米,建筑面积占地108,697 平方米。m11靠近hynix目前正在运营中的另外两个芯片制造厂,新工厂将会很好的利用现有的人力资源和架构。 hynix董事长兼ceo kim jong-gap表示,公司计划加强产品在价格方面的竞争力,并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。 已小规模生产nand闪存的m11生产线计划从9月起开始生产40,000片12英寸晶圆,以后月产能将升至100,000片以上。hynix表示,m11将专门制造最先进的高密度nand闪存产品,包括采用40nm工艺技术的16gb、32gb闪存芯片。m11的产能将根据实际市场需求做出灵活的调整。第三个晶圆厂的完工,将使得hynix在总的300mm晶圆的产能上获得约达到2

    • 好象这里比以前冷多了,别怕! 把LPC2000当高档单片机使用!

      的市场定位就是与高档单片机竞争??? 用lpc2119,2132做了几款产品,真的不知道philisp的arm7是怎么回事,没看过arm7的内核,也没看过指令系统...... 只是看了cpu内部有什么功能模块及其用法,每个引脚是干什么的,就够了... 编程方面,用keil for arm (含rtos),也不用自己写启动代码,也不用仿真器或jtag,就跟写c51程序的时候一个样,在pc调试好了,串口烧写,串口监视...... arm(中国)公司一篇文章中提到: atmel hynix oki 和philips 所生产的基于arm7 的mcu 具有一个重要的区别那就是只有philips 和hynix 将flash 存储器与处理器核集成在同一个管芯当中atmel 和oki 将一个单独的flash 芯片与处理器集成在一个多芯片封装当中很自然这对存储器性能封装大小功耗以及价格有着很重要的影响 在atmel 的cpu当中flash 接口的宽度只有32 位而不是philips 的128 位宽度访问时间大约110ns 只有philips lash 存储器速度的一半一个后果就是at

    • [转贴]ARM的应用和选型 大家喜欢!

      不需要大容量存储器时,可以考虑选用有内置存储器的arm芯片。见表1。 表1 内置存储器的arm芯片 芯片型号 供应商 flash容量 rom容量 sram容量 at91f40162 atmel 2m bytes 256k bytes 4k bytes at91fr4081 atmel 1m bytes 128k bytes saa7750 philips 384k bytes 64k bytes puc3030a micronas 256k bytes 56k bytes hms30c7202 hynix 192k bytes ml67q4001 oki 256k bytes lc67f500 snayo 640k bytes 32k 1.4 usb接口 许多arm芯片内置有usb控制器,有些芯片甚至同时有usb host和usb slave控制器。见表2。 表2 内置usb控制器的arm芯片 芯片型号 arm内核 供应商 usb slave usb host iis接口 s3c2410 arm920t samsung 1 2 1 s3c2400 arm920t samsung 1 2 1 s

    • 请教ARM选型

      不需要大容量存储器时,可以考虑选用有内置存储器的arm芯片。见表1。 表1 内置存储器的arm芯片 芯片型号 供应商 flash容量 rom容量 sram容量 at91f40162 atmel 2m bytes 256k bytes 4k bytes at91fr4081 atmel 1m bytes 128k bytes saa7750 philips 384k bytes 64k bytes puc3030a micronas 256k bytes 56k bytes hms30c7202 hynix 192k bytes ml67q4001 oki 256k bytes lc67f500 snayo 640k bytes 32k 1.4 usb接口 许多arm芯片内置有usb控制器,有些芯片甚至同时有usb host和usb slave控制器。见表2。 表2 内置usb控制器的arm芯片 芯片型号 arm内核 供应商 usb slave usb host iis接口 s3c2410 arm920t samsung 1 2 1 s3c2400 arm920t samsung 1 2 1 s

    • 请教:下载程序和烧写程序有什么区别?谢谢!

      请教:下载程序和烧写程序有什么区别?谢谢!请教:一位大哥说:“下载是下到ram里面 烧写是写到rom里面”各位大大,我的开发板上有 am29lv160db 和 hynix 这两块芯片。请教:am29lv160db 是属于 ram ,还是属于 rom?hynix 是属于 ram ,还是属于 rom?还有,是不是一般把 boot 和 linux 系统 下载到 am29lv160db把我自己写的程序烧写到 hynix ?是不是两片芯片的地址都是从 0 开始的?烧写和下载有什么区别呢?谢谢!

    • 请问那位知道S3C2410和S3C2440的价格和相关资料

      电子科技有限公司地址:上海市浦东新区即墨路99号3号楼1507室 邮编:200120 电话:021-58767384 传真:021-58767384qq:16951849 mp:13816698198email:zhisheng.fan@163.com msn: diegofanzs@hotmail.com网址: http://www.ideal.2ic.cc 主要经营samsung、cirrus logic、atmel、mot、fujistu、spiex、micrel、intel、sst、hynix 、epson等公司的集成电路.长期稳定供应samsung、cirrus logic、atmel、hynix 、intel公司arm芯片和配套元器件(sdram、flash、以太网芯片、串口芯片、usb、音视频处理芯片等)。同时提供各类arm芯片解决方案和配套服务。免费提供cirrus logic公司原厂ep7312、ep930x、ep9315评估板光盘和intel公司原厂pxa255和pxa27x评估板资料。

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