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ir2010s供应商优质现货

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  • 深圳市创芯联盈电子有限公司

  • IR2010STRPBF

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ir2010s中文资料

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    rthermore, a floating (isolated) gate drive (both supply and control signal) is required for the top mosfet (high side). thus the high-side gate drive signal propagation has to be matched with that of the low side (where no isolation is needed). the ir2010s gate drive ic is selected at it matches these vital requirements: delay matching of outputs to within 15 ns a 3a sink/source current capability floating high side output for up to 200v isolation(for more complete information of gate drive ics refer

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