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专注电子元件十年，只做原装现货
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HIGH SPEED, 100V, SELF OSCILLATING 5...
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国际整流器公司(international rectifier，ir)推出针对ir2086s dc总线转换器控制ic及directfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用
国际整流器公司（international rectifier，ir）推出针对ir2086s dc总线转换器控制ic及directfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启
国际整流器公司（international rectifier，简称ir）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36v至75v）及48v固定输入系统。 新芯片组专为隔离式或非隔离式dc-dc转换器应用而设计，可提升系统层面的电源性能，如220w以下系统主机板的大型48v转换，或用以驱动基站系统的无线电放大器。 ir2086s 控制器集成电路采用初级全桥布置，可简化隔离式dc-dc转换器电路。它特别针对总线转换器应用进行优化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。 新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。 设计师可从100v irf6644或i
流总线变换器设计 为了得到这种新拓扑结构的最大优点，直流总线变换器需要新半桥和全桥控制器，以及优化的功率mosfet技术。 作为新类型控制器例子，国际整流器公司的ir2085s 集成了50%占空比振荡器，与100v，1a半桥驱动ic到单一so-8封装内，具有外部可调节的频率和死区时间以用于各种应用要求。提供了使能端和电流限制控制端。内部软启动特性极限在启动期间的浪涌电流，通过大约在门驱动信号的最初2000 个脉冲期间逐渐增加占空比到50%。相类似的方法可用于全桥直流总线变换器，使用新型的ir2086s，对于高达240w，在相似的波形因素下，在满载电流下具有大约96.4%的效率。 图1显示了48v直流输入的原理图，它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线变换器电路。在初级，ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet，它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得，并用于启动，然后在稳态下由变压器获得。irf7380，是双80v n-沟道功率mosfet，集成在so-8封装内，被用于获
国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。 业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（pwm）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。 此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1
适用于ir2086全桥控制ic和directfet mosfet芯片组 (电子市场网讯) 国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出针对ir2086s dc总线转换器控制ic及directfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet
国际整流器公司(international rectifier，ir)近日推出针对ir2086s dc总线转换器控制ic及directfet功率mosfet芯片组的参考设计irdc2086－330w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器
国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 irf6646和irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v和36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激和推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ，是
国际整流器公司（international rectifier，简称ir）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36v至75v）及48v固定输入系统。 新芯片组专为隔离式或非隔离式dc-dc转换器应用而设计，可提升系统层面的电源性能，如220w以下系统主机板的大型48v转换，或用以驱动基站系统的无线电放大器。 ir2086s 控制器集成电路采用初级全桥布置，可简化隔离式dc-dc转换器电路。它特别针对总线转换器应用进行优化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。 新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。 设计师可从100v irf664
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