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分离式半导体产品
FET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
250V
38A
75 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
210nC @ 10V
4800pF @ 25V
280W
通孔
TO-247-3
TO-247AD
管件
IRFP264X
irfp264基本参数: 所属类别:晶体管 品牌:ir 封装:to-220 fet型:mosfet n通道,金属氧化物 fet特点:标准型 开态rds(最大)@ id, vgs @25°c:75毫欧@23a, 10v 漏极至源极电压(vdss):250v 电流-连续漏极(id) @25°c:38a id时的vgs(th)(最大):4v @ 250μa 闸电荷(qg) @ vgs:210nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss):5400pf @ 25v 功率-最大:280w 安装类型:通孔 包装:管件 irfp264价格分析: 根据各大电子网站搜索排名,irfp264近期改装所报参考价区间为:2.8元/pcs~8.5元/pcs。据各大商家反映,该型号近期市场需求比较旺盛,询价的较多。目前该型号原装供应比较紧张,市面上拆机或改装的货比较繁多,故价格也比较紊乱。
据各大商家反映,晶体管irfp264型号近期市场需求比较旺盛,询价的较多。目前该型号原装供应比较紧张,市面上拆机或改装的货比较繁多,故价格也比较紊乱。改装所报参考价区间为:2.8元/pcs~8.5元/pcs。 基本参数: 型号:irfp264 所属类别:晶体管 品牌:ir 封装:to-220 fet型:mosfet n通道,金属氧化物 fet特点:标准型 开态rds(最大)@ id, vgs @25°c:75毫欧@23a, 10v 漏极至源极电压(vdss):250v 电流-连续漏极(id) @25°c:38a id时的vgs(th)(最大):4v @ 250μa 闸电荷(qg) @ vgs:210nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss):5400pf @ 25v 功率-最大:280w 安装类型:通孔 包装:管件
mosfet的实际击穿电压一般比额定值能高出多少?我买了irfp264(250v38a)准备用在280v左右,占空比非常小1/30,而且导通时间非常短(ns级),几乎刚刚导通就关闭(大部分时间处于关闭,280v加在管子上),请问有经验的朋友,这种情况下工作是否容易击穿烧掉?注:280/250=1.12,而300/250才=1.2