带有此标记的料号:
1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。
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TSOP48/20+
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带有此标记的料号:
1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。
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TSOP/1013+
一定原装房间现货
带有此标记的料号:
1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。
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TSOP48/1349+
进口原装现货
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TSOP48/21+
亏本出仓库现货 原装原盒原包
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TSOP48/10+
自家原装库存,支持配单服务,企业QQ3003975274
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TSOP48/2208+
主营内存.闪存全系列 ,欢迎咨询
K9F1G08UOD-SCBO
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TSSOP48/2013
原装,假一赔十
K9F1G08R0B-JIB0
216
FBGA63/22+
全网价保证原装
K9F1G08UOD-SCBO
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TSOP48/21+
全新进口原装,新到现货假一罚十,1pcs起售,可开
K9F1G08U0C-PCBO
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原装,假一罚十
K9F1G08U0E-SIB0
80000
TSOP48/1915+
原装正品,20年老牌供应商
K9F1G08U0E-SCB0
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TSOP48/20+
全新原装现货
K9F1G08U0A-PCB0
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TSSOP48/23+
中国区代理全新原装现货供应
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BGA63/14+13+
原装 支持实单
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TSOP48/20+
原厂优势渠道,价格超越同行代理附带原厂出货证明
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原装现货
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SOP/DIP/21+
全新原装现货 假一罚十
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原装现货
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BGA/22+
公司原装现货主营品牌可含税提供技术免费样品
作者:刘洪涛,华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 一、结构分析 s3c2410处理器集成了8位nandflash控制器。目前市场上常见的8位nandflash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512byte、2kbyte、2kbyte。它们在寻址方式上有一定差异,所以程序代码并不通用。本文以s3c2410处理器和k9f1208系统为例,讲述nandflash的读写方法。 nandflash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit,这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是nand device 的位宽。这些line 组成page, page 再组织形成一个block。k9f1208的相关数据如下: 1block=32page;1page=528byte=512byte(main area)+16byte(spare area)。 总容量
,那可以采取其他方式,比如好多使用nandflash的开发板除了使用nandflash以外,还用上了一块小的norflash来运行启动代码。 2、容量和成本对比 相比起nandflash来说,norflash的容量要小,一般在1~16mbyte左右,一些新工艺采用了芯片叠加技术可以把norflash的容量做得大一些。在价格方面,norflash相比nandflash来说较高,如目前市场上一片4mbyte的am29lv320 norflash零售价在20元左右,而一片128mbyte的k9f1g08 nandflash零售价在30元左右。 nandflash生产过程更为简单,nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,这样也就相应地降低了价格。 3、可靠性性对比 nand器件中的坏块是随机分布的,以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。而坏块问题在norflash上是不存在的。 在flash的位
节能状态。 微型姿态存储器的电路设计思路主要依据对飞行体的姿态参数进行实时采集,编帧和存 储这一思路进行设计,信号调理电路是将姿态模拟信号进行分压、滤波和跟随运放后传送发 给模数转换芯片, 模数转换电路采用了美信公司的max1295 芯片,它是6 通道12 位精度逐 次逼近式的数模转换器,采样率为265ksps,片内集成了高性能的采样保持电路和参考电压 源。同时还具有较低的功耗和较高的信噪比,可以进行内部和外部的采样模式设置,在本设 计中采用了外部采样模式。 存储系统采用了三星公司的k9f1g08 flash 存储器,该芯片性能良好,封装较小,为 微型化测试系统设计提供了便利,在逻辑中心的时序控制下,对存储器进行读、写、擦除操 作,每种操作都采用了由flash 的状态信号r/b 进行中断的方式。在写操作过程中,以8 位数据进行存取,在存储一页数据时要进行页编程,大约要300us~700us ,等待r/b 状态 信号的改变后进入下一页的存储,为了使采集和存储的速度相匹配,在fpga 内部采用了8k bits 的双口ram,在flash 存储器进行页编程的时候进行数据的缓存。在擦除操作过程中
tl层的管理程序调用mtd接口进行数据的存取,闪存固件程序的架构如图七所示。 &n bsp; (图七,闪存固件程序架构) 3.1 mtd层 不同厂商、不同flash结构导致闪存的控制命令有所差异,不同容量导致地址字节数不同。例如三星k9f5608系列读数据方式是:控制命令0x00h,3个字节的地址,读信号,但k9f1g08系列读数据方式是:控制命令0x00h,5个字节的地址,控制命令0x30h,读信号。 在mtd层需要针对这些差异,实现相应的驱动。而且mtd层应该封装这些差异向ftl层提供统一的接口,使得ftl层能够访问任意物理地址的数据,而不关心控制命令序列和地址字节数。值得注意的是虽然最上层的应用都是以扇区(在flash里称为页)为单位读写数据,但ftl层的管理程序需要对flash的冗余数据区(spare area)进行数据操作(一般ftl层的管理程序所用的数据存放在冗余数据区),所以mtd层也
哪位大虾有过2410/2440下大容量flash的驱动移植经历?正在做s3c2440下wince的东东,开发板是技创科技的板子。因为官方开发板使用的nand flash是k9f1208,页大小为512 byte。我手头的项目需要使用k9f1g08,页大小为2k byte。因此需要进行移植。已经按照k9f1g08的手册对2440的wince bsp包进行了修改,包括命令集、地址周期读写、页面大小设置,但是eboot下对flash的系统初始化始终不成功。后来看了一下ce的源码,发现eboot使用了大量bootpart的开发库函数,而wince的bootpart库以及binfs文件系统都是基于512 byte页大小的flash设计的。现在把bootpart相关部分都做了修改,但是始终不能将nk.bin烧写到flash中去。哪位大虾有过成功经验可以探讨一下?
有用过nandflash k9f1g08 的吗?指点一下。k9f1g08容量比较大,1个block分了64page,每page有2kb,请问做u盘的话还用一个page做一个扇区吗?好像比512字节要大很多啊。怎么知道一个block已经损坏了?block损坏之后怎么办?要自己另外做一个备份,然后操作系统操作这个block的时候就映射到那个block吗?block是不是恨容易损坏?
为什么不把k9f1g08挂在io空间?还要用mcbsp控制为什么不把k9f1g08挂在io空间?还要用mcbsp控制
28楼的说法不成立,而且很危险请看下面摘录的samsung的k9f1g08的数据手册片断,请特别注意红线划出的部分:
穷人也来秀板子---放程序了!!!很穷,没钱做板子,,,呵呵,,,,其实也不想做板子,万一画错了一条线,改起来麻烦死了。。。这是最近无聊搞的一块m32/m16 的开发板,还可以直接把cpu换成stc8051。板上资源有: rs232串口:max202; usb1.1: philips d12; 4 x 4 扫描键盘; ps/2标准键盘; m32/16 cpu; nand flash: k9f1g08; cpld一片:xc9536 - 5v; 12864lcd:stc920 音频放大:tda2822m。板子还没有焊完,呵呵,,先把照片发上来给大伙瞧瞧,,, * - 本贴最后修改时间:2005-11-2 12:40:08 修改者:st_z