6800
TSOP48/2208+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
K9F2808U0C-PCB0
6800
TSOP48 Welcome to www.zhjgic.com/1802+
原装正品，中国存储芯片优质供应商
K9F2808U0C-PCB0
6081
TSOP48/2022+
原装现货
K9F2808U0C-PCB0
3840
TSOP/12+
进口原装现货支持实单
K9F2808U0C-PCB0
31200
TSOP/21+
原厂优势渠道，价格超越同行代理附带原厂出货证明
K9F2808U0C-YCB0
279
TSSOP/05+
量大可供 配单/陈店贵屿一手货源
K9F2808U0C-PCB0
14300
TSOP48/2209
SAMSUNG专营价优
K9F2808U0C
587
-/-
公司现货，进口原装热卖
K9F2808U0C
3000
-/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
K9F2808U0C
10000
TSOP48/22+
原厂原装现货
K9F2808U0C
10054
-/-
-
K9F2808U0C
9000
TSOP48/21+
只做原装 特价清仓 一手货源 代理渠道 胡经理
K9F2808U0C
6200
-/23+
-
K9F2808U0C
10000
-/22+
原装正品，假一罚十
K9F2808U0C
44
TSOP48/0610
-
K9F2808U0C
6200
-/22+
-
K9F2808U0C
3820
TSOP48/-
-
K9F2808U0C
6200
-/22+
-
K9F2808U0C
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
K9F2808U0CPDF下载
K9F2808U0C
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
K9F2808U0CPDF下载
K9F2808U0C-F
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
K9F2808U0C-FPDF下载
K9F2808U0C-P
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
K9F2808U0C-PPDF下载
K9F2808U0C-P
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
K9F2808U0C-PPDF下载
K9F2808U0C-V
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG
K9F2808U0C-VPDF下载
K9F2808U0C-V
16M x 8 Bit NAND Flash Memory
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
K9F2808U0C-VPDF下载
K9F2808U0C-Y
Samsung semiconductor [16M x 8 Bit ...
SAMSUNG
K9F2808U0C-YPDF下载
K9F2808U0C-DCB0
16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash...
SAMSUNG
K9F2808U0C-DCB0PDF下载
K9F2808U0C-DCB0
16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
K9F2808U0C-DCB0PDF下载
的非易失闪存芯片，这两种类型的flash区别在于： nor类型flash可以按照字节访问，所以存放在flash里的程序可以直接执行，而nand类型flash是串行访问的，需要先把程序读取到内存然后再从内存中运行。与nor型相比，nand型闪存的优点是容量大，但是nand型的速度比较慢，因为他的i/o端口只有8(或16)个，要完成地址和数据的传输就必需让这些信号轮流传送。nand型flash具有极高的单元密度，容量可以比较大，价格相对便宜。本文采用samsung公司的nand型flash存储设备k9f2808u0c。 2 系统硬件结构及接口电路 2.1 arm芯片介绍 arm公司自1990年正式成立以来，在32位risc(reduced instruction set computer)cpu开发领域不断取得突破，目前已经占有75％以上的32位risc嵌入式产品市场。在低功耗、低成本的嵌人式应用领域确立了市场领导地位。 philips公司的lpc2210是基于一个支持实时仿真和跟踪的32位arm7tdmi-stmcpu的微控制器，片内128位宽度的存储器接口和独特的加速结构使32位代码能够在最大
芯片，这两种类型的flash区别在于： nor类型flash可以按照字节访问，所以存放在flash里的程序可以直接执行，而nand类型flash是串行访问的，需要先把程序读取到内存然后再从内存中运行。与nor型相比，nand型闪存的优点是容量大，但是nand型的速度比较慢，因为他的i/o端口只有8(或16)个，要完成地址和数据的传输就必需让这些信号轮流传送。nand型flash具有极高的单元密度，容量可以比较大，价格相对便宜。本文采用samsung公司的nand型flash存储设备k9f2808u0c。 2系统硬件结构及接口电路 2.1arm芯片介绍 arm公司自1990年正式成立以来，在32位risc(reducedinstructionsetcomputer)cpu开发领域不断取得突破，目前已经占有75％以上的32位risc嵌入式产品市场。在低功耗、低成本的嵌人式应用领域确立了市场领导地位。 philips公司的lpc2210是基于一个支持实时仿真和跟踪的32位arm7tdmi-stmcpu的微控制器，片内128位宽度的存储器接口和
dqs1 用于ddrdq[ 15: 8] ， ddr dqs0 用于ddr dq [ 7: 0 ] 。ldqs与ddr dqs0 相连， ldqs 与dq0~ dq7 上的数据相对应; u dqs 与ddr dq s1 相连， udqs 与dq8 ~dq15 上的数据相对应。ldqs 和udqs 分别为低位和高位数据选通， 只有在不同数据选通模式通过emr 的控制位被使能时才被使用。 图3 dm365 与w971gg6ib 接口框图 单元中选用的nand flash 为三星公司的k9f2808u0c ， 它为一个132 mb 的闪存， 其中的内存容量分为16m 8 b 容量和4 mb 的备用容量。该存储器阵列包含1 024 个独立可擦除块， 每个数据块包含16kb。k9f2808u0c 的8 个i/ o 引脚是地址复用的， 这样可减少引脚数， 并方便系统升级， 闪存电源为3. 3 v。 dm365 与k9f2808u0c 的接口框图如图4 所示。 图4 dm365 与k9f2808u0c 接口框图 图4 中i/ o0 ~ i/ o7 为数据输入/ 输出引脚， 与em
便的数据传输方式。基于上述原因，本文重点论述基于usb的海量存储(usb mass storage)设备功能在arm嵌入式系统中设计和应用。使用该设备功能，上位机可以像读写普通u盘一样对于系统采集并存储在flash中的数据进行读写。 1 硬件方案 l.1 器件简介 s3c44b0x[1]是samsung公司出品的基于arm7tdmi内核的risc型微处理器，8 kb指令和数据共享的缓存，主频可达66 mhz，可以运行16位的thumb指令和32位的arm指令，且接口丰富，具有通用性。 k9f2808u0c[2]是samsung公司生产的一款nand型闪存芯片，容量为16 mb，读写速度快，数据保存时间长，可擦写10万次，在嵌入式系统中有着广泛的应用，主要是负责数据存储。 pdiusbdl2[3]是philips公司生产的带有并行总线和局部dma传输能力的全速usb接口芯片，符合usb1.1版规范，可以与任何外部mcu／mpu实现并行接口，传输速度可达2 mb／s。该usb芯片有1个控制端点和2个普通端点。 1.2 硬件连接图 硬件连接如图1所示。在该系统中，flash芯片k9f2808u0
85 datasheet http://www.dzsc.com/datasheet/max3485_858685.html.[11]. max3232 datasheet http://www.dzsc.com/datasheet/max3232_1107769.html.[12]周立功等. arm微控制器基础与实践.北京航空航天大学出版社. 2003. 11[13]马忠梅等. arm嵌入式处理器结构与应用基础.北京航空航天大学出版社.2002[14] samsung datasheet. "k9f2808u0c flash memory"[15] siemens. "loop detector ld4"来源:xiangxueqin
电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(16M+512K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：10μs(最大值)，串行页访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据烬留时间；指令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚的TBGA封装
大家帮我看看lpc2210联k9f2808u0c的连接是否正确？大家帮我看看lpc2210联k9f2808u0c的连接是否正确？
谢谢zlgarm！谢谢帮助，可是还是有些不明白的地方。一、我开始没有说太明白，我本来打算用bank3扩nand flash k9f2808u0c。在《arm嵌入式系统实验教程（二）》中的第12页写了，由于对k9f2808u0c芯片操作有特定的时序要求，所以使用了atf16lv8c产生合适的片选信号（f_ncs)、读使能信号（f_noe)和写使能信号（f_nwe)。而在《教程（二）》中，bank3同时还有多个外设扩展。其余的几个外设可能只是由a23:21地址译码，而flash还是要求时序转换吧？谢谢！二***、ad数据线如果用d0到d11，作为一个bank访问，是否要求ad的读写时序信号与2214的总线读写时序相同？包括tft屏的接口也是一样，怎么解决？这个问题对我很关键，谢谢！三、为了绕开cpld，我将要扩的nand flash 改为 nor flash sst39vf160，这样虽然口线占得多点，但不用这么复杂。但sst39vf160只有2m，感觉小了一点，请问同类型的片子还有没有容量大的，型号是什么？四、2214的片内flash为256k，如果我将nor flash分配为bank0，选择boot1:0
lpc2214对k9f2808u0c驱动问题!我用的mcu是lpc2214,外部flash为k9f2808u0c,采用io模拟控制信号对flash驱动.没有jtag调试端口(真失败),数据是串口写入,请问flash的读写时序怎么控制.我从给的例子(8051对k9f2808u0c驱动)看到,使用了nop作为一个机器周期进行时序控制,不知道对arm7的lpc2214来说.这点该怎么处理.还有的就是地址怎么写入.我的程序是这样写的(以写page为例子): pagenum=blocknum<<5+blockpagenum;(其中pagenum是页在整个nand flash中的位置;blocknum是第几个block;blockpagenum是所要写入的页在本block中的地址)接下来;连续写入地址flash_w_address(0x00);-------行地址写入flash_w_address(pagenum&0xff);flash_w_address((pagenum>>8)&0xff);-------列地址写入但这样写好象没有写进去.我编写了个检测程序,向flash的某
按道理应该不会那么多吧我用的2808u0c.html">k9f2808u0c，总块数1024，声明最少有效块是1004，即获得片子之后写入擦除之前检测的值，而开始使用之后一般也就3~5个坏块左右。最好在使用前先检一下坏块，不知你用的是哪型，2808的坏块标志位为坏块的第一页或第二页的c区第六个（页总第517）字节不为ffh。
请教001liujie: 你好！ 我刚好也想外扩一个字库。我的初步想法是这样的：芯片用三星flash芯片k9f2808u0c（8mb)，因为我的应用中有优盘的接口，所以可以先将字库拷到优盘中，然后再通过板上cpu拷入flash中。不过如果你的系统不大的话，我建议直接用lpc2139，内置512kb flash，可完全容纳256kb字库。 我现在最薄弱的地方就是对字库不了解，望不吝赐教！
联系人：
联系方式：
