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LM2917N-8EP IC VOLTAGE-FREQUENCY CONVERTER, PDIP... NSC LM2917N-8EPPDF下载
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lm2917n价格行情

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历史最低报价：￥2.0000 历史最高报价：￥18.5000 历史平均报价：￥7.0760

型号厂家封装批号数量日期价格
LM2917N NS DIP14 00+ 2008/12/5 0:00:00 2.0000/pcs
LM2917N NS DIP14 2008/12/5 0:00:00 2.0000/pcs
LM2917N NS DIP_14 2008/12/30 0:00:00 2.8000/pcs
LM2917N DIP14 2008/12/30 0:00:00 3.0000/pcs
LM2917N NS DIP14 Feb-98 2008/12/31 0:00:00 4.0000/pcs
LM2917N NSC DIP 04+ 2008/12/5 0:00:00 4.0000/pcs
LM2917N NS DIP14 06+ 2008/12/5 0:00:00 4.0000/pcs
LM2917N NS DIP-14 01+ 2008/9/17 0:00:00 4.0000/pcs
LM2917N NS DIP14 00/01+ 2008/8/1 0:00:00 4.0000/pcs
LM2917N BB DIP8 04+ 2008/12/5 0:00:00 4.5000/pcs

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引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
National Semiconductor (TI)
Supply Voltage - Max:
28 V
Supply Voltage - Min:
12 V
最大工作温度:
+ 85 C
最小工作温度:
- 40 C
封装 / 箱体:
MDIP
封装:
Tube
线性误差:
+/- 1 %FSR
安装风格:
Through Hole
工厂包装数量:
25

LM2917N
频率/电压转换器(14脚)

金属探测器电路图四
偏转方向及偏转幅度大小，可判断出金属类别，并对金属定位。元器件选择 r1～r7选用1/4w或1/8w碳膜电阻器。 rp1选用带开关的合成膜电位器；rp2选用不带开关的合成膜电位器或可变电阻器。 c1～c5、c7均选用瓷介电容器；c6选用耐压值大于10v的铝电解电容器。 vdi～vd3选用2ap9、2apl0型锗普通二极管或2ak系列的锗开关二极管。 v选用3dg6或s9018型硅npn型晶体管。 ic1和ic2均选用ne555型时基集成电路；ic3选用lm2917n型集成电路。 l1用φ0.49mm的高强度漆包线绕成直径为30cm的线圈（50～140匝），为增加其机械强度，可用开口铝管作支架，再装上手柄作为探测线圈；l2选用tdk色码电感器。调试方法电路装配好后，用频率计测量ⅴ发射极的信号频率，然后调节电位器rp1，使信号频率为1khz。若无频率计，也可将v发射极的输出信号送入半导体收音机的低频放大电路进行放大，然后调节电位器rp1，使收音机的声音最刺耳（在调节过程中，会发现rp1有两个位置使声音最刺耳，应选择rp1有效阻值较大的位置
金属探测器四
偏转。使用者根据电压表指针的偏转方向及偏转幅度大小，可判断出金属类别，并对金属定位。元器件选择 rl-r7选用1/4w或1/8w碳膜电阻器。 rpl选用带开关的合成膜电位器;rp2选用不带开关的合成膜电位器或可变电阻器。 cl-c5、c7均选用瓷介电容器;c6选用耐压值大于lov的铝电解电容器。 vdl-vd3选用2ap9、2aplo型锗普通二极管或2ak系列的锗开关二极管。 v选用3dg6或s9018型硅npn型晶体管。 icl和ic2均选用ne555型时基集成电路;ic3选用lm2917n型集成电路。 ll用φ0·49mm的高强度漆包线绕成直径为30mm的线圈 (50-140匝)，为增加其机械强度，可用开口铝管作支架，再装上手柄作为探测线圈;l2选用tdk色码电感器。调试方法电路装配好后,用频率计测量v发射极的信号频率，然后调节电位器rpl，为lkhz。若无频率计，也可将v发射极的输出信号送人半导体收音机的低频方放大，然后调节电位器rpl，使收音机的声音最刺耳 (在调节过程中，会发现置使声音最刺耳，应选择rpl有效阻值较大的位置)。再调整rr，使电压表p度盘正申("0"

LM291N LM2925 LM293 LM2930 LM2930-5.0 LM2930-8.0 LM2931 LM2931-5 LM2931-5.0 LM2931ACDR2G

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