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  • MMBF170LT1G的技术参数

    产品型号:mmbf170lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):-最大漏极电流id(on)(a):0.500通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.5a,60v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥.60 来源:xiangxueqin

  • MMBF170LT1G的技术参数

    产品型号:MMBF170LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-
    最大漏极电流Id(on)(A):0.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):¥....

mmbf170lt1g替代型号

MMBF170LT1 MMBF170 MMBF0201NLT1G MMBD914LT1G MMBD914 MMBD701LT1G MMBD7000LT1G MMBD6100LT1G MMBD6050LT1G MMBD4448HTW

MMBF170LT3G MMBF2201NT1G MMBF2202PT1G MMBF4391LT1G MMBF4392LT1G MMBF4416LT1G MMBF5457LT1G MMBF5460LT1G MMBF5484LT1G MMBFJ174

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