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MRF9060M MRF9060MR1, MRF9060MBR1 945 MHz, 60 ... Freescale Semiconductor MRF9060MPDF下载
MRF9060N MRF9060NR1 945 MHz, 60 W, 26 V Later... Freescale Semiconductor MRF9060NPDF下载
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mrf9060价格行情

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历史最低报价：￥10.0000 历史最高报价：￥350.0000 历史平均报价：￥124.3571

型号厂家封装批号数量日期价格
MRF9060 AD 07+/08+ 150 2010/5/17 12:34:17 10.0000/pcs
MRF9060 Freescale 高频管 2008+ 150 2010/5/17 13:29:40 17.0000/pcs
MRF9060 MOTOROLA 高频管 04+ 150 2010/5/17 13:11:07 55.0000/pcs
MRF9060 MOT 陶瓷高频管 50 2012/1/31 11:01:43 60.0000/pcs
MRF9060 MOTOROLA 02+ TO-63 100 2010/5/17 14:55:05 60.0000/pcs
MRF9060 MOTOROLA TO-63 02+ 100 2010/5/17 14:53:03 60.0000/pcs
MRF9060 200 2010/5/17 13:44:46 60.0000/pcs
MRF9060 MOT 150 2010/5/20 19:20:58 70.0000/pcs
MRF9060 MOTOROLA TO-64~ 09+ 5500 2010/5/17 14:46:22 70.0000/pcs
MRF9060 MOTOROLA 高频管 04+ 150 2010/5/17 13:10:39 70.0000/pcs

mrf9060中文资料

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基于AD7892SQ和CPLD的数据采集系统的设计
平坦度、线性度等。直流馈电电路为功放管提供可调的电压偏置，有合理的保护措施来防止功放管的损坏，提供温度补偿并采用负反馈技术以提高线性度。 2.1 射频放大电路图1为射频功放模块放大部分的电路原理框图，采用平衡放大器的结构，射频信号首先进入3 db耦合器，将射频信号一分为二，并将其中一路引入90°的相移，分别进行功率放大，然后再由输出耦合器引入90°附加相移使两路信号恢复同相，将输出功率合成。另外，3 db耦合器的另一端接50 ω的负载。功放管选择的是freescale公司的mrf9060，它采用横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)技术的n沟道增强型场效应管。ldmos管用高集成无源和有源区域来代替传统的大功率射频芯片分立的有源区，比较容易组成内部输入输出匹配网络，金属化栅极可以减少串联电阻、增加功率增益。mrf9060采用共源的工作模式，具有良好的散热特性。栅、漏极之间屏蔽层降低了反馈电容，较长的栅极长度可满足较大范围的动态增益和线性要求，具有良好的抗失配能力(swr<10)。mrf9060一般工作于ab类状态，其增益与栅源电压vgs成正比。mrf9060工作参数如下：
DTV发射机75 W射频功放模块的设计与实现
平坦度、线性度等。直流馈电电路为功放管提供可调的电压偏置，有合理的保护措施来防止功放管的损坏，提供温度补偿并采用负反馈技术以提高线性度。 2.1 射频放大电路图1为射频功放模块放大部分的电路原理框图，采用平衡放大器的结构，射频信号首先进入3 db耦合器，将射频信号一分为二，并将其中一路引入90°的相移，分别进行功率放大，然后再由输出耦合器引入90°附加相移使两路信号恢复同相，将输出功率合成。另外，3 db耦合器的另一端接50 ω的负载。功放管选择的是freescale公司的mrf9060，它采用横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)技术的n沟道增强型场效应管。ldmos管用高集成无源和有源区域来代替传统的大功率射频芯片分立的有源区，比较容易组成内部输入输出匹配网络，金属化栅极可以减少串联电阻、增加功率增益。mrf9060采用共源的工作模式，具有良好的散热特性。栅、漏极之间屏蔽层降低了反馈电容，较长的栅极长度可满足较大范围的动态增益和线性要求，具有良好的抗失配能力(swr<10)。mrf9060一般工作于ab类状态，其增益与栅源电压vgs成正比。mrf9060工作参数如下：
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