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当前位置：维库电子市场网>IC>nid9n05cl 更新时间:2024-04-28 04:15:00

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nid9n05cl中文资料

  • NID9N05CL的技术参数

    产品型号:nid9n05cl源漏极间雪崩电压vbr(v):55源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):181最大漏极电流id(on)(a):－通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:自保护离散式,55v门限,esd保护mosfet价格/1片(套):￥2.80 来源:xiangxueqin

  • NID9N05CL内部电路图

    　　NID9N05CL内部电路如下图所示:

    NID9N05CL内部电路图

    　　...

  • NID9N05CLT4G的技术参数

    产品型号:NID9N05CLT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):55
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181
    最大漏极电流Id(on)(A):－
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:9 A, 52带ESD保护功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.10

  • NID9N05CL的技术参数

    产品型号:NID9N05CL
    源漏极间雪崩电压VBR(V):55
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181
    最大漏极电流Id(on)(A):－
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:自保护离散式,55V门限,ESD保护MOSFET
    价格/1片(套):￥2.80<...

nid9n05cl替代型号

NID6002NT4G NID6002N NID5003NT4G NID5003N NID5001NT4G NID5001NT4 NID5001N NICHICON NFORCE4-4X NFORCE4

NID9N05CLT4G NIF5002NT1 NIF5002NT1G NIF5003NT1G NIF5003NT3G NIF62514T1 NIF62514T1G NIF9N05CLT1 NIKOS NIMD6302R2

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