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  • NID9N05CLT4G的技术参数

    产品型号:nid9n05clt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):55源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):181最大漏极电流id(on)(a):－通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:9 a, 52带esd保护功率mosfet价格/1片(套):￥2.10 来源:xiangxueqin

  • NID9N05CLT4G的技术参数

    产品型号:NID9N05CLT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):55
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181
    最大漏极电流Id(on)(A):－
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:9 A, 52带ESD保护功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.10

nid9n05clt4g替代型号

NID9N05CL NID6002NT4G NID6002N NID5003NT4G NID5003N NID5001NT4G NID5001NT4 NID5001N NICHICON NFORCE4-4X

NIF5002NT1 NIF5002NT1G NIF5003NT1G NIF5003NT3G NIF62514T1 NIF62514T1G NIF9N05CLT1 NIKOS NIMD6302R2 NINA

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