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ntb25p06t4g价格行情

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ntb25p06t4g中文资料

  • NTB25P06T4G的技术参数

    产品型号:ntb25p06t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):82最大漏极电流id(on)(a):27.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:-60 v, -27.5 a功率mosfet价格/1片(套):¥7.40 来源:xiangxueqin

  • NTB25P06T4G的技术参数

    产品型号:NTB25P06T4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):82
    最大漏极电流Id(on)(A):27.500
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
    描述:-60 V, -27.5 A功率MOSFET
    价格/1片(套):¥7.40
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ntb25p06t4g替代型号

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