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  • NTF6P02T3G的技术参数

    产品型号:ntf6p02t3g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55 ~150描述:-20 v, -6.0a功率mosfet价格/1片(套):￥3.60 来源:xiangxueqin

  • NTF6P02T3G的技术参数

    产品型号:NTF6P02T3G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50
    最大漏极电流Id(on)(A):6
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
    描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.60

ntf6p02t3g替代型号

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