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当前位置：维库电子市场网>IC>ntmfs4120nt1g 更新时间:2024-04-17 14:34:25

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  • NTMFS4120NT1G的技术参数

    产品型号:ntmfs4120nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500最大漏极电流id(on)(a):31通道极性:n沟道封装/温度(℃):dfn6/-55 ~150描述:30 v, 31 a,功率mosfet价格/1片(套):￥7.40 来源:xiangxueqin

  • NTMFS4120NT1G的技术参数

    产品型号:NTMFS4120NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.500
    最大漏极电流Id(on)(A):31
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DFN6/-55 ~150
    描述:30 V, 31 A,功率MOSFET
    价格/1片(套):￥7.40

ntmfs4120nt1g替代型号

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