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器产品若有涉及电传通讯者，或有参与网络联机者，皆必须要做"接地"以消除干扰的影响。但因板面面积不够,因此pcb lay-out就将"接地"与"电压"二功能之大铜面移入内层，造成四层板的瞬间大量兴起,也延伸了阻抗控制的要求。而原有四层板则多升级为六层板，当然高层次多层板也因高密度装配而日见增多.本章将探讨多层板之内层制作及注意事宜. 制作流程 依产品的不同现有三种流程 a. print and etch 发料→对位孔→铜面处理→影像转移→蚀刻→剥膜 b. post-etch punch 发料→铜面处理→影像转移→蚀刻→剥膜→工具孔 c. drill and panel-plate 发料→钻孔→通孔→电镀→影像转移→蚀刻→剥膜 发料 发料就是依制前设计所规划的工作尺寸，依bom来裁切基材，是一很单纯的步骤，但以下几点须注意： a. 裁切方式-会影响下料尺寸 b. 磨边与圆角的考量-影响影像转移良率制程 c. 方向要一致-即经向对经向，纬向对纬向 d. 下制程前的烘烤-尺寸安定性考量 铜面处理 在印刷电路板制程
ce（sat）不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗rfce串联一个固定vfce电压，vce（ice）=ice×rfce+vfce。 图5中的示例仅考虑了ccm pfc电路的传导损耗，即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15w。以fcp11n60 mosfet为例，该电路被限制在5.8a，而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流输入电流下工作。它可以传导超过mosfet 70% 的功率。 虽然igbt的传导损耗较小，但大多数600v igbt都是pt （punch through，穿透） 型器件。pt器件具有ntc （负温度系数）特性，不能并联分流。igbt 在开通过程中，大部分时间是作为mosfet 来运行的，只是在漏源电压uds 下降过程后期， pnp 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td （on） tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。igbt的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由
ner out－doping这两种现象可以被用来解释为什么晶体管的侧壁位置粒子注入的掺杂浓度会不同于晶体管中心位置(通道正下方)。由于trenchrecess和corner ou－doping这两种现象是不可避免的，所以人们尝试了很多种方法去优化掺杂的有效浓度分布，以期降低和消除双峰效应。 本文将介绍一种双峰效应的简单*估方法，使双峰效应的程度得以量化。并且通过对量化数字的*估，可以定性和定量地了解和确定最优化的掺杂浓度条件。 2 实验条件 本文分别对n型mos的vt和punch-through的粒子注入掺杂浓度进行了正交试验。其中，vt注入的浓度分别为：4.55×1012cm－2；6.55×1012cm-2和8.55×1012cm-12。，注入能量为25 kev，杂质成分为硼(boron)；punch-through注入的浓度分别为：4.0×1012cm-2；7.13×1012cm-2和1.0×1013cm-2，注入能量为170 kev，杂质成分为铟(indium)；通过对不同注入条件的mos器件的jd-vg曲线的测量和分析，以期能得到掺杂浓度分布和双峰效应的关系。
何存储效应，因此，很容易实现极短的开关时间。当然，在芯片尺寸很大的器件中（高耐压/大电流），其内部电容充放电所需的驱动电流会相当大，因为，每cm2的芯片面积上的电容约0.3μf。 这些由mosfet的物理结构所决定的电容是其最重要的寄生参数。图3表示了它们的起源和等效电路图。表1解释了图3中各种寄生电容和电阻的起源和符号。 表1 mosfet的寄生电容及电阻 1.2.2 igbt 图4清楚地显示了一个n沟道增强型垂直式igbt的结构和功能。图中的igbt具有非穿通式npt（non punch through）结构，栅极为平面式。 和mosfet有所不同，在igbt的n区之下有一个p＋导通区，它通向集电极。 流经n－漂移区的电子在进入p＋区时，会导致正电荷载流子（空穴）由p＋区注入n－区。这些被注入的空穴既从漂移区流向发射极端的p区，也经由mos沟道及n井区横向流入发射极。因此，在n－漂移区内，构成主电流（集电极电流）的载流子出现了过盈现象。这一载流子的增强效应导致了空间电荷区的缩小以及集电极－发射极电压的降低。 尽管同mosfet的纯电阻导通特性相比，igbt还需加上集电极端
件的击穿电压(bv)和工作电流(ion)。众所周知，这两个参数往往是相互影响、相互牵制的。 图八：40v高压pmos 器件结构图 那么我们要怎样做才能实现呢？让我们先了解一下40v高压器件的器件结构。如图8所示，我们40v高压器件采用的是ldmos结构，源极/漏极的offset由阱构成。在栅极多晶硅和源极/漏极之间有一段漂移区 氧化层。就pmos而言，整个pmos被nbl(n-buried layer)和n阱隔开。为了提高bv，我们首先得知道,器件的bv取决于源极/漏极穿通(punch through)还是某一个pn 结。事实上，当我们做过大量的实验之后发现，40v pmos bv取决于漏极的p阱对nbl结的bv，因此，我们的目标就是如何提高这个结的bv。为了实现这个目标，我们可以有两种做法： 1. 降低nbl和p阱浓度。但这里要注意，如果p阱浓度太低，由于rs增加和结深变浅会相应减小ion。另一方面，如果nbl浓度太低，则有可能导致中间的n阱同nbl接不上，从而导致hvpmos完全不工作。 2. 增加外延层(epi)厚度。外延增厚不仅可以明显提高hvpmos b
场，2006年市场规模达11亿美金，而亚太市场(asia-pacific)则因为车辆需求增加而成长速度最快，预估到2009年之前的年复合成长率可达23.5%。预估到2007年底，全球将会有3,500万台交通工具加装商业车用信息系统服务，而加装的机种主要是以risc为处理器核心、搭配512mb内存的设备。 目前市场上主要的商业车载信息系统供货商包括：airiq、atx group、etas group、 minorplanet systems、onstar corporation、punch telematix、qualcomm、webtech wireless与wireless matrix corporation等。
范 积极评价 · in-stat分析师gerry kaufhold表示，“恩智浦在硅调谐器领域拥有行业领先的丰富经验，全面支持全球范围的所有广播标准，并拥有特种射频加工工艺和强大的全球供应链，这是电视机制造商的关键考虑因素之一，因为他们看重的是高性能和高可靠性。凭借最新款混合型硅调谐器，恩智浦将推动从传统罐式调谐器向‘板载’硅电视调谐器的重大转变。硅调谐器尺寸更小、可靠性更高、功耗更低，因而成本效益优势更为突出。” · 恩智浦半导体电视前端产品线国际产品市场经理fabrice punch说道：“我们的许多客户已经开始销售搭载板载硅调谐器芯片的电视机。我们推出tda18274的目的是促进板载硅调谐器在更大范围内得到大众的认可。tda18274集众多优势于一身，其中包括高度集成的设计、支持多调谐器应用的能力以及对lte及其他无线网络干扰的强大免疫力，是电视制造商的理想选择，将帮助电视制造商减少必要组件的数量，充分发挥当今硅调谐器具有的简单性、高性能、低物料成本等优势。”
宋体一条长长的通道连接着ibm位于纽约州阿蒙克(armonk) 总部大楼的两翼，而恰恰是这条通道赋予了ibm“创业及发展历程”全新的涵义。在其总部大楼里，ibm展示着百年来该公司生产的一系列产品，从穿孔卡片(punch cards)到录音磁带，再从磁盘驱动器到存储芯片。这些产品或以实物形式展现在人们面前，或以照片形式讲述着该公司的百年历史。在现代计算设备真正问世之前，每一种存储信息方式的背后都离不开一个响当当的名字：ibm。从纽约市向北驱车一小时就能够到达ibm的总部大楼。在ibm董事会会议室旁边的陈列着一台办公桌大小的计算设备，上面布满了上百个按钮。一个插着一大团各种线缆的铁质金属板不禁让参观者叹为观止：这难道就是“控制面板”的早期模型。 成功孕育于百年历史 二十年来五大科技公司市值走势图 目前还没有一家it企业能够像ibm一样展示出如此众多具有历史意义的系列产品。本月16日，ibm将迎来公司的百年华诞，而缺少ibm的全球计算设备的发展史也将是不完整的。陈列在总部大楼里的一系列产品彰显了ibm这位“蓝色巨人”为推动20世纪的科技发展所做出的巨大贡献。最近，历经十
quot;以消除干扰的影响。但因板面面积不够,因此pcb lay-out就将"接地"与"电压"二功能之大铜面移入内层，造成四层板的瞬间大量兴起,也延伸了阻抗控制的要求。而原有四层板则多升级为六层板，当然高层次多层板也因高密度装配而日见增多.本章将探讨多层板之内层制作及注意事宜. 4.2 制作流程 依产品的不同现有三种流程 a. print and etch 发料→对位孔→铜面处理→影像转移→蚀刻→剥膜 b. post-etch punch 发料→铜面处理→影像转移→蚀刻→剥膜→工具孔 c. drill and panel-plate 发料→钻孔→通孔→电镀→影像转移→蚀刻→剥膜 4.2.0发料 发料就是依制前设计所规划的工作尺寸，依bom来裁切基材，是一很单纯的步骤，但以下几点须注意： a. 裁切方式-会影响下料尺寸 b. 磨边与圆角的考量-影响影像转移良率制程 c. 方向要一致-即经向对经向，纬向对纬向 d. 下制程前的烘烤-尺寸安定性考量 4.2
子展)进行产品演示（恩智浦展示区位于wynn hotel and casino）。 in-stat分析师gerry kaufhold表示，“硅调谐器市场将在五年内翻番，2014年预计达到5亿美元，并将取代传统的can调谐器。恩智浦作为硅调谐器全球市场的领导者，能很好满足电视制造商的设计需求，能够稳定和大量供货。随着其最新一代高性能混合型硅调谐器的发布，在无线网络抗干扰性能设计等方面，恩智浦为产品性能显着提升提供了领先方案。” 恩智浦半导体电视前端事业部国际营销经理fabrice punch表示，“随着tda18273的发布，我们开发的高性能硅调谐器已经覆盖全球所有电视标准。我们非常高兴地获悉，在美国占有很大市场份额的日本领先电视机厂商funai electric(船井电机) 已经选择了tda18273。最新发布的硅调谐器也表明了我们正继续集中20多年的行业经验，为改进电视调谐器ic设计而不懈努力。” tda18273技术亮点： o恩智浦tda18273硅调谐器其他特性包括： ·单一电源供电 ·超高最大输入电平 ·外形尺寸6x6mm，h
s，使floating gate的那个mos的drain和source两端不会受到过高的电压，而容易产生over erase 或over program之类的，而这个对于flash 来说是很麻烦的。所以eerpom不会做大，当array面积占到整个chip的die size 的很大比例的话，成本相对与flash就会没有优势的。好象在业界来说，擦和写在flash和eeprom 中的定义是恰好相反的，是很奇怪。hhnec的eeprom的工作电压不是很清楚，smic的是16v 左右（最高电压），高了会punch through 或break down。
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