SOT223
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优势产品大量库存原装现货
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原装现货
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原装现货
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原装现货
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元器件代理百强企业
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NR/2017+
诚研翔科技，专业配单公司，可开增值税发票
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原装现货
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原装现货
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原装现货
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原装正品热卖，价格优势
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只做原装，提供一站式配单服务
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原装现货
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BB/24+
房间现货，诚信经营，提供BOM配单服务
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原装现货
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原装现货
SOT223
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BB/2021+
原装现货
SOT223
1054
2016+/BB
代理直销，公司原装现货供应
SOT223
53000
BB/2021+
原装现货
SOT223
8391
BB/22+
特价现货，提供BOM配单服务
SOT223-5
LSI Assembly
ROHM [Rohm]
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单片机和模拟半导体供应商美国微芯科技公司（microchip technology inc.），在其能稳定配合陶瓷输出电容的高电流低压差稳压器 （ldo） 系列中，t添加了500ma的 mcp1725 和 mcp1825 ldo，以及1a的 mcp1826 （mcp1725/182x） ldo。这些功能全面的新型ldo，采用面积小至2 x 3毫米的 dfn及sot223封装，并可提供关断、电源正常指示及可调节电源正常指示延迟等多种功能。新器件丰富了microchip现有的ldo系列，使其全线低输出电压、高电流ldo产品更臻完备，能以广泛全面的功能和封装满足严峻的设计要求。 mcp1725/182x ldo的输出电压低至0.8v，适用于更先进的、工作电压愈趋下降的可编程逻辑门阵列（fpga）、专用集成电路 （asic）及逻辑内核。这些ldo采用具良好热性能的封装，典型低压差电压介于210至250mv，能在全电流状况下支持范围宽广的输入/输出电压，在多种应用领域大派用场。它们还能稳定配合陶瓷输出电容，静态电流低至120至140微安，有助实现更小巧、更具效率的设计。
美国微芯科技公司（microchip technology inc.），在其能稳定配合陶瓷输出电容的高电流低压差稳压器 （ldo） 系列中，t添加了500ma的 mcp1725 和 mcp1825 ldo，以及1a的 mcp1826 （mcp1725/182x） ldo。这些功能全面的新型ldo，采用面积小至2 x 3毫米的 dfn及sot223封装，并可提供关断、电源正常指示及可调节电源正常指示延迟等多种功能。新器件丰富了microchip现有的ldo系列，使其全线低输出电压、高电流ldo产品更臻完备，能以广泛全面的功能和封装满足严峻的设计要求。 mcp1725/182x ldo的输出电压低至0.8v，适用于更先进的、工作电压愈趋下降的可编程逻辑门阵列（fpga）、专用集成电路 （asic）及逻辑内核。这些ldo采用具良好热性能的封装，典型低压差电压介于210至250mv，能在全电流状况下支持范围宽广的输入/输出电压，在多种应用领域大派用场。它们还能稳定配合陶瓷输出电容，静态电流低至120至140微安，有助实现更小巧、更具效率的设计。 microchip模拟及接口产
全球领先的单片机和模拟半导体供应商——美国微芯科技公司，在其能稳定配合陶瓷输出电容的高电流低压差稳压器 （ldo） 系列中，添加了500ma的 mcp1725 和 mcp1825 ldo，以及1a的 mcp1826 （mcp1725/182x） ldo。这些功能全面的新型ldo，采用面积小至2 x 3毫米的 dfn及sot223封装，并可提供关断、电源正常指示及可调节电源正常指示延迟等多种功能。新器件丰富了microchip现有的ldo系列，使其全线低输出电压、高电流ldo产品更臻完备，能以广泛全面的功能和封装满足严峻的设计要求。 mcp1725/182x ldo的输出电压低至0.8v，适用于更先进的、工作电压愈趋下降的可编程逻辑门阵列（fpga）、专用集成电路 （asic）及逻辑内核。这些ldo采用具良好热性能的封装，典型低压差电压介于210至250mv，能在全电流状况下支持范围宽广的输入/输出电压，在多种应用领域大派用场。它们还能稳定配合陶瓷输出电容，静态电流低至120至140微安，有助实现更小巧、更具效率的设计。 器件特殊功能 mcp182 5s 和 mcp182
microchip在其能稳定配合陶瓷输出电容的高电流低压差稳压器 （ldo） 系列中，添加了500ma的 mcp1725 和 mcp1825 ldo，以及1a的 mcp1826 （mcp1725/182x） ldo。这些功能全面的新型ldo，采用面积小至2 x 3毫米的 dfn及sot223封装，并可提供关断、电源正常指示及可调节电源正常指示延迟等多种功能。新器件丰富了microchip现有的ldo系列，使其全线低输出电压、高电流ldo产品更臻完备，能以广泛全面的功能和封装满足严峻的设计要求。 mcp1725/182x ldo的输出电压低至0.8v，适用于更先进的、工作电压愈趋下降的可编程逻辑门阵列（fpga）、专用集成电路 （asic）及逻辑内核。这些ldo采用具良好热性能的封装，典型低压差电压介于210至250mv，能在全电流状况下支持范围宽广的输入/输出电压，在多种应用领域大派用场。它们还能稳定配合陶瓷输出电容，静态电流低至120至140微安，有助实现更小巧、更具效率的设计。 mcp1825s 和 mcp1826s 属于基本型ldo，分别为3引脚500 ma和1 a规格；
diodes公司推出首款采用其微型powerdi5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款npn及pnp晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 powerdi5的占板空间仅有26mm2，比sot223小47%，比dpak小60%；板外高度仅为1.1mm，远薄于1.65mm高的sot223和2.3mm高的dpak 封装。 powerdi5最小的铜板电功率额定值 (minimum copper power rating) 为0.74w，可在小面积上体现极佳的热性能，大幅度提高了功率密度。它在25×25mm的铜和fr4物料上的额定热电阻为75℃/w，额定功率为1.7w，足以在一些较依赖封装热性能的应用中取代sot223 封装。 首批采用新型powerdi5封装的npn及pnp晶体管产品适用于数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用。 新器件中的dxt2013p5、dxt2014p5及dxtp03200bp5的额定电压分别为100v、140v和200v。这些器件的饱和电压低，具有快速开关的特性，有助于改
diodes公司推出新型zxmc10a816器件，它采用so8封装，包含一对互补100v增强式mosfet，性能可媲美体积更大的独立封装器件。zxmc10a816适用于h桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、d类放大器输出级以及其他多种48v应用。 diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出，这个n通道和p通道组合的mosfet能够代替采用sot223及dpak (to252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，so8充分发挥了节省空间的功能，其占位面积只有31 mm2，仅为两个sot223 mosfet的30%。 最新双器件封装内的n与p通道mosfet，可在10v栅极电压 (vgs) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (rds(on)) 分别为230mω 和235mω，确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4w及2.6w。
日前，diodes公司推出新型zxmc10a816器件，它采用so8封装，包含一对互补100v增强式mosfet，性能可媲美体积更大的独立封装器件。zxmc10a816适用于h桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、d类放大器输出级以及其他多种48v应用。 diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个n通道和p通道组合的mosfet能够代替采用sot223及dpak (to252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，so8充分发挥了节省空间的功能，其占位面积只有31 mm2，仅为两个sot223 mosfet的30%。” 最新双器件封装内的n与p通道mosfet，可在10v栅极电压 (vgs) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (rds(on)) 分别为230mΩ 和235mΩ，确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4w及2.6w。
zetex日前推出全新的采用sot23封装的双极晶体管系列。它们能以更小的尺寸实现与较大的sot223封装相同的电流处理功能，有效地缩减印刷电路板的尺寸。 sot23器件的面积仅为2.5毫米×3.05毫米，与sot223器件6.7毫米×7.3毫米的面积相比，可成功节省八成以上的电路板空间。 首批产品包括六款微型器件，npn及pnp晶体管各占三款，它们的额定电压分别为50v、60v和100v，开关负载高达400w。微型zxtn及zxtp高功率密度晶体管的功率耗散高达1.2w，能支持高达5a的连续集电极电流和高达12a的峰值集电极电流。 这些器件是功率mosfet、igbt、直流马达、继电器、螺线管及高功率发光二极管 (led)最理想的驱动器之选。 新型晶体管具有极低的饱和电压，有助于减少功率损耗，优化电路效率。以100v的 zxtn2020f为例，集电极电流为1a时，vce(sat) 只有50mv。
r）设计将发射极区域扩展到更大面积的区域，同时使其以网状结构与基极接触，因此可降低发射极串联电阻。这样做的结果是基极驱动更为平均，从而可更有效地利用裸片上的发射极有源区域，并进而大大降低集电极-发射极饱和电压（如图1所示）。---在相应的封装所允许的限制内尽量增大裸片面积可以进一步降低器件的损耗。图2说明开发并应用新的引线框架和6引脚封装（如sot457）还可改善器件的散热情况。 与中功率晶体管性能相当---由于晶体管的总 成本受封装成本的影响很大，因此，采用sot23封装的晶体管要比采用较大的sot223封装的晶体管的成本低得多。---对于传统晶体管设计，通常是所需要的集电极电流限制了裸片尺寸，从而限制了进一步小型化的努力。例如，采用传统设计，集电极电流>0.5a的晶体管无法采用sot23封装。另一方面，如果采用网状结构发射极技术，现在已经可以在sot23封装中提供集电极电流大于2a的晶体管。因此，网状发射极晶体管（sot23）可以用来代替更大的sot223封装晶体管，并且提供相当、甚至更好的特性。biss晶体管pbss4350t和pbss4320t以及中功率晶体管bdp31。
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors(捷特科)公司推出首款采用sot223封装的低端自保护mosfet，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 最新zxms6002g及zxms6003g器件是zetex公司intellifet产品系列的新成员，均属于60v、500m?额定值的n沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。 zxms6002g具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模式的模拟指示，无需外部元件。这种诊断功能有助于实现智能的自动故障响应。 zxms6003g除了具备zxms6002g的所有功能，还兼具可编程过流限制功能，可供定制过流限制以满足系统需要，有助于用户降低功耗和系统成本。只需在状态和输入引脚间接上外置电阻器，便可简便地配置该mosfet的电流限值水平。 zxms6002/3器件经过特别设计，能在汽车应用中耐受60v负载突降瞬变，还能在工业系统
问下，有没有sot223封装输出1。8v或者3。3v，输入最大超过24v的问下，有没有sot223封装输出1。8v或者3。3v，输入最大超过24v的片子，电流要求不大
楼上，sot223贴片散热比to39好！ sot223有一个大的焊盘，连接在pcb上的，散热好，实际测量输出20ma时候用sot的手基本感觉不到什么热，而换成2n2219后明显感觉壳体发热！ 另外扩展三极管一是为了保护694，一是将热量转移到694外，可以提高精度和耐温。 只是一直没搞明白，一个直流恒流源为何需要300mhz的三极管？
1a5v输出低压差稳压电路。lm2940imp是sot223封装，它的散热片与gnd端相连接。
1.00 60 0.75 10bq100 ir smb 1.00 100 0.78 mbrs1100t3 on - 1.00 100 0.75 10mq040n ir sma 1.10 40 0.5115mq040n ir sma 1.70 40 0.55pbyr245ct ps sot223 2.00 45 0.45 30bq015 ir smc 3.00 15 0.35 30bq040 ir smc 3.00 40 0.51 30bq060 ir smc 3.00 60 0.58 30bq100 ir smc 3.00 100 0.79 stps340u stm
sot223有1117，sot-89的还没有找到
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