ZXMN2B14FHTA
21020
SOT23/2022+
原装现货 可含税 可配套 样品可拆
ZXMN2B14FHTA
200
-/14+
全新原装深圳现货
ZXMN2B14FHTA
63000
SOT23/20+
进口原装现货/特价销售
ZXMN2B14FH
6500
SOT23/23+
只做原装现货
ZXMN2B14FH
10000
SOT23/-
-
ZXMN2B14FH
572641
SOT23/22+
原装可开发票
ZXMN2B14FH
18000
SOT23/2023+
13%原装
ZXMN2B14FH
6000
SOT23/22+
原装,提供BOM配单服务
ZXMN2B14FH
28900
SOT23/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十
ZXMN2B14FH
12663
SOT23/22+
只做原厂原装假一罚十可含税
ZXMN2B14FH
90000
QFN24/23+
原厂渠道,现货配单
ZXMN2B14FH
6500
SOT23/21+
原装正品
ZXMN2B14FH
30000
SOT23/2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
ZXMN2B14FH
15250
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
ZXMN2B14FH
6000
SOT23/21+
是终端可以免费供样,支持BOM配单
ZXMN2B14FH
12000
SOT23/2019+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
ZXMN2B14FH
8400
SOT23/23+
专注配单,只做原装进口现货
ZXMN2B14FH
15000
SOT23/22+
原装现货 平价清仓
ZXMN2B14FH
6800
SOT23/23+
专注配单,只做原装进口现货
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:零八我的爱
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
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模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧(mΩ;)、100毫欧(mΩ)和200毫欧(mΩ),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻分别低于75毫欧、100毫欧和200毫欧,使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
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zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧(m?)、100毫欧(m?)和200毫欧(m?),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 详情请访问:www.zetex.com