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ZXM61P02FTA

更新时间:2025-06-17 12:51:16

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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DIODES
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深圳市百达威尔科技有限公司
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深圳市鸿源达电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市凯鑫跃电子有限公司
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场效应管(MOSFET)P沟道 20V 900mA类型P沟道漏源

深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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Diodes(美台)
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深圳市科鑫美电子有限公司
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28900
DIODES
SOT23/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十

深圳市赛美科科技有限公司
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650000
DIODES/美台
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一级代理，全新原装，价格优势

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市源斯特电子科技有限公司
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ZXM61P02FTA 概述

ZXM61P02FTA是Diodes公司生产的一款P沟道MOSFET。它采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，适用于电池供电设备等低功耗应用场合。该MOSFET可用于开关电路，例如负载开关、电源管理中的功率转换电路等。在便携式电子设备中，如手机、平板电脑等，它能够高效地控制电源的通断，有助于延长设备的电池续航时间。使用时需注意其最大电压、电流额定值，避免超出规格范围造成器件损坏。在电路设计中，要合理布局走线以减小寄生电感对开关性能的影响。

ZXM61P02FTA 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
900mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.5nc @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 15V
功率 - 最大
625mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
ZXM61P02FTR

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