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2N5115E3

更新时间:2025-05-13 20:42:32
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2N5115E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N5115E3外观图

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：100 : ￥337.32520散装
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：P 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值：-
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(On)：100 Ohms
  • 功率 - 最大值：500 mW
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）
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