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2N5115E3

更新时间:2025-05-30 00:09:26
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2N5115E3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    P 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    30 V
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
    15 mA @ 15 V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值
    -
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
    3 V @ 1 nA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    25pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(On)
    100 Ohms
  • 功率 - 最大值
    500 mW
  • 工作温度
    -65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-206AA，TO-18-3 金属罐
  • 供应商器件封装
    TO-18（TO-206AA）
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
2N5115E3推荐型号
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