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2N5179 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TR... MICROSEMI 2N5179PDF下载
2N5179 NPN SILICON RF SMALL-SIGNAL TRANSIST... MICRO-ELECTRONICS 2N5179PDF下载
2N5179 NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BOCA 2N5179PDF下载
2N5179 VHF/UHF AMPLIFIER STMICROELECTRONICS 2N5179PDF下载
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2N5179 NPN SILICON RF SMALL-SIGNAL TRANSIST... MICRO-ELECTRONICS [Micro Electronics] 2N5179PDF下载
2N5179 NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR BOCA [Boca Semiconductor Corporation] 2N5179PDF下载
2N5179 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TR... MICROSEMI [Microsemi Corporation] 2N5179PDF下载

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ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
+扩区，对于输入端铝条跨过n+扩区的双极电路，使用时应采取必要的防静电措施。 e.测试和传递中出现肖特基ttl电路(54s181、54s420)电性能异常，输入漏电增大。经解剖分析，在金相显微镜下观察芯片表面未发现任何电损伤痕迹，但在去除铝和sio2后，在输入端的发射极接触孔内却发现了较轻的小坑，再用cp4溶液进行腐蚀后小坑变得更加明显。用“静电模拟器”进行模拟试验，出现的失效现象与它十分类似。可见这种失效是由esd损伤引起，也可能是其它的轻度电损伤引起。 f.某仪表系统输入端使用的2n5179超高频晶体管多次发生失效，失效模式为放大系数降低，特别是在小电流下(例如ic＝100μa)的放大系数下降到大约为1左右，同时eb结出现较大反向漏电。解剖后，在金相显微镜下观察芯片表面，在eb极之间的铝条上有一个很小的变色区，它是由瞬间的电过应力(电浪涌)引起的过合金区，这种失效一般由静电放电引起，对于输入端为超高频小功率管基极的电子系统，输入端应设计输入保护网络，如果系统特性不允许增加保护网络，则必须采取防静电放电操作措施。 g.带有mos电容器作为内补偿的运算放大器，在使用中常有失效，失

2N5179
材料性质:Si-NPN,甚高频(VHF),超高频/特高频(UHF),低噪放大(ra),直插封装,20V,0.05A,900MHZ,0.2W,25<β<250
2N5179
0.05A/20V

ESD引起集成电路损坏原理模式及实例
+扩区，对于输入端铝条跨过n+扩区的双极电路，使用时应采取必要的防静电措施。 e.测试和传递中出现肖特基ttl电路(54s181、54s420)电性能异常，输入漏电增大。经解剖分析，在金相显微镜下观察芯片表面未发现任何电损伤痕迹，但在去除铝和sio2后，在输入端的发射极接触孔内却发现了较轻的小坑，再用cp4溶液进行腐蚀后小坑变得更加明显。用“静电模拟器”进行模拟试验，出现的失效现象与它十分类似。可见这种失效是由esd损伤引起，也可能是其它的轻度电损伤引起。 f.某仪表系统输入端使用的2n5179超高频晶体管多次发生失效，失效模式为放大系数降低，特别是在小电流下(例如ic＝100μa)的放大系数下降到大约为1左右，同时eb结出现较大反向漏电。解剖后，在金相显微镜下观察芯片表面，在eb极之间的铝条上有一个很小的变色区，它是由瞬间的电过应力(电浪涌)引起的过合金区，这种失效一般由静电放电引起，对于输入端为超高频小功率管基极的电子系统，输入端应设计输入保护网络，如果系统特性不允许增加保护网络，则必须采取防静电放电操作措施。 g.带有mos电容器作为内补偿的运算放大器，在使用中常有失效，

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