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2N5298

更新时间:2024-04-12 17:08:45
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  • 厂家:ETC [ETC]
  • 描述:Silicon NPN Transistor
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 最大直流电集电极电流:4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:20
  • 最大工作频率:0.8 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 封装:Box
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:36 W
  • 工厂包装数量:400
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