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2N5302 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI 2N5302PDF下载
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2N5302 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO ... WINGS 2N5302PDF下载
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2N5302 Silicon NPN Power Transistors ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 2N5302PDF下载
2N5302 Silicon NPN Power Transistors SAVANTIC [Savantic, Inc.] 2N5302PDF下载
2N5302 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO ... WINGS [Wing Shing Computer Components] 2N5302PDF下载
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相关应用
引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:
60 V
最大直流电集电极电流:
30 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
40
配置:
Single
最大工作频率:
2 MHz
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-204-2 (TO-3)
封装:
Tray
集电极连续电流:
30 A
最小工作温度:
- 65 C
功率耗散:
200 W
工厂包装数量:
100

2N5302G的技术参数
产品型号:2N5302G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60
集电极最大持续电流IC(Max)(A):30
直流电流增益hFE最小值(dB):15
直流电流增益hFE最大值(dB):60
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2
功率耗散PD（W）@25℃:200...

2N5302
30.0A/60V

555高精度稳压电源电路
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集电极—发射极最大电压 VCEO:

最大直流电集电极电流:

直流集电极/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作频率:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

封装:

集电极连续电流:

最小工作温度:

功率耗散:

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