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2N6123

更新时间:2025-06-12 12:57:10
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2N6123 规格参数
  • 制造商
    Central Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 最大直流电集电极电流
    4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    20
  • 最大工作频率
    2.5 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220
  • 封装
    Box
  • 集电极连续电流
    0.45 A
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 功率耗散
    40 W
  • 工厂包装数量
    400
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