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2N6126

更新时间:2025-05-05 12:06:52

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深圳市广弘电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市力拓辉电子有限公司
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其它信息：

4.0A/80V

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制造商：Central Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
最大工作频率：2.5 MHz
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-220
封装：Box
集电极连续电流：0.45 A
最小工作温度：- 65 C
功率耗散：40 W
工厂包装数量：400

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