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2N6660-E3

更新时间:2025-06-12 19:56:55
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2N6660-E3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    60 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    1.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    3 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Stud
  • 封装 / 箱体
    TO-205AD
  • 封装
    Bulk
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    6.25 W
  • 工厂包装数量
    100
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