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2N6668G

更新时间:2025-06-16 01:04:02
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2N6668G 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Darlington
  • 配置
    Single
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO
    80 V
  • 最大直流电集电极电流
    10 A
  • 最大集电极截止电流
    1000 uA
  • 功率耗散
    65 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220-3
  • 封装
    Tube
  • 集电极连续电流
    10 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    1000
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 工厂包装数量
    50
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