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SST31LF041A-70-4C-WH

更新时间:2025-04-08 05:38:36
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SST31LF041A-70-4C-WH 相关资料
  • 其它信息:

    Flash+SRAM联合存储器:512K×8 Flash+128K×8SRAM; 读、写操作电压:3.0~3.6V; 并行操作:在SRSM读出或写入时在Flash中擦除/编程; 高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持100年; 低功耗,动态读出电流:Flash为10mA(典型值),SRAM为20mA(典型值),待机电流:10μA(典型值); Flash扇区擦除功能:均匀的4KB扇区; Flash锁存地址和数据; 快速读取时间:Flash为70ns或300ns,SRAM为70ns或300ns; Flash有快速擦除和字节编程操作,扇区擦除时间:18ms(典型值),组擦除时间:70ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值),组重写时间:8s(典型值); Flash自动调节擦除和编程时间; Flash有写入完成监测:Toggle位和Data#查询;兼容CMOS I/O;符合JEDEC标准命令集;温度范围:0~+70℃(商用级C); 读取时间:70ns

  • 引脚图:

    SST31LF041A-70-4C-WH引脚图

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