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2N7002V-7

更新时间:2025-04-08 19:17:44
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2N7002V-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N7002V-7外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
  • 功率 - 最大：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-563
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：2N7002VDITR
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