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2N7002WLT1G

更新时间:2025-06-02 22:32:13

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2N7002WLT1G 概述

2N7002WLT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件的最大漏源电压为60V，适用于高速开关应用场合。其典型应用包括负载开关、电源管理以及DC - DC转换器等电路中。在实际应用中，2N7002WLT1G可作为电子开关使用，当栅极施加足够电压时，MOSFET导通，允许电流从漏极流向源极。设计电路时应注意栅极驱动电压的稳定性，以确保MOSFET可靠导通或截止。例如在简单的负载开关电路中，可将控制信号连接到栅极，通过控制信号的高低电平来控制负载的通断。同时，由于其封装较小，在PCB布局时需注意散热设计。

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